深亚微米MOS器件的物理、结构与工艺  

Physics 、structure and technology of the deep submicron MOS devices

作　　者：刘艳红[1] 赵宇[1] 王美田[1] 胡礼中[1] 魏希文[1] 

机构地区：[1]大连理工大学物理系,116024

出　　处：《半导体杂志》2000年第1期35-39,共5页

摘　　要：本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。The physics、structure and technology of the deep submicron MOS devices were given. The short channel effects 、the structure of LDD and SOI、phaseshift mask and multilevel interconnection were included.

关 键 词：深亚微米 MOS器件 物理 结构 工艺 集成电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]