许居衍

作品数：17被引量：39H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：SOC系统芯片U快速热退火EEPROM更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术经济管理机械工程更多>>
发文期刊：《中国集成电路》《固体电子学研究与进展》《电子产品世界》《电子与封装》更多>>
所获基金：江苏省青年科技基金中国博士后科学基金更多>>
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复归于道——封装改道芯片业被引量：12
《电子与封装》2019年第10期1-3,共3页许居衍 
“历史事件犹如枝上嫩芽,总在它要长出的地方露头,结出果子。”2003年,x86 CPU升级到64位,由于登纳德等效缩放(Dennard Equivalent Scaling)失灵,时钟频率止步于4 GHz。为降低功耗、提高算力,处理器分别于2006、2010年进入了多核和异构...
关键词：摩尔定律 多核CPU 异构计算 扇出 技术路线图 时钟频率 GPU ROADMAP 
一种利用夹层Ta难熔金属提高NiSi薄膜热稳定性的新方法被引量：1
《电子学报》2011年第11期2502-2506,共5页黄伟 张树丹 许居衍 
中国博士后科学基金(No.20100481102)
本文首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法.依据此方法,首次摸索出在Ni中掺入夹层金属Ta来提高NiSi硅化物的热稳定性.Ni/Ta/Ni/Si样品经600~800℃快速热退火后,薄层电阻率保持较小值,约2Ω/□.XRD衍射分析结果表...
关键词：镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 俄歇能谱分析 卢瑟福背散射 原子力显微镜 
难熔夹层金属提高NiSi薄膜热稳定性的新思路
《固体电子学研究与进展》2011年第3期298-304,314,共8页黄伟 孙华 张利春 张树丹 许居衍 
首次给出了一种具有规律性的能用来提高镍硅化物热稳定性的方法。依据此方法,摸索出在Ni中分别以夹层金属掺入Pt、Mo、Zr、W金属来提高NiSi硅化物的热稳定性。概括总结了掺入难熔金属M后形成的三元镍硅化物Ni(M)Si热稳定性能。实验结果...
关键词：镍硅化物 快速热退火 X射线衍射分析 拉曼光谱分析 卢瑟福背散射 原子力显微镜 
Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究被引量：1
《电子与封装》2010年第10期24-27,共4页王胜 黄伟 张树丹 许居衍 
文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为...
关键词：Ni(W)Si 肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱 快速热退火 
用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第3期463-468,共6页黄伟 王胜 张树丹 许居衍 
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿...
关键词：铝镓氮/氮化镓异质结场效应晶体管 四氟化碳等离子体轰击 增强型 击穿电压 源场板 比导通电阻 
集成电路发展哲理被引量：1
《电子产品世界》2009年第7期8-9,共2页许居衍 
半导体技术极其丰富多彩，身陷其景，会有“不识庐山真面目，只缘身在此山中”的感触。为此．既要“近赏细微”，又要“临空浏览”，以期从中领悟到一些哲理。
关键词：集成电路 哲理 半导体技术 
片上网络技术发展现状及趋势浅析被引量：11
《电子产品世界》2009年第1期32-37,共6页李丽 许居衍 
半导体制造工艺的快速发展使得片上可以集成更大规模的硬件资源,片上网络的研究试图解决芯片中全局通信问题,使得从基于计算的设计转变为基于通信的设计,并实现可扩展的通信架构。本文回顾和总结了现有NoC研完工作,指出NoC是当前片上通...
关键词：片上网络(NoC) 存储结构 并行软件 功耗管理 
自强不息
《微电子学》2008年第1期6-8,共3页许居衍 
关键词：管理创新 刘禹锡 电子版 
微电子重大发展态势分析被引量：1
《中国电子科学研究院学报》2006年第3期215-218,222,共5页许居衍 
从“硅技术是否已出现新的发展态势?”、“推动技术进步的模式是否在演变?”和“在这些演变中我们要注视些什么?”三个方面,探讨主流半导体技术(硅技术)发展阶段特点及其创新走向。分析指出,电子系统设计将在下一波硅技术进步中起着重...
关键词：后摩尔定律时代 硅产品特征循环 系统级芯片设计 对策 
建设微电子强国的思考
《电子与封装》2005年第8期1-3,共3页许居衍 黄安君 
1建设微电子强国的大环境问题 1.1 2004年产业经济数据(来自IC Insights、FSA、SIA等)表明,传统半导体产业"大者恒大"的趋势日益突显 ·全球半导体总销售值2140亿美元,其中,全球十大半导体公司总值1113亿美元,占半导体行业的52%,全球十...
关键词：微电子 建设 半导体产业 2004年 环境问题 经济数据 FSA SIA IC 
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