王胜

作品数：5被引量：9H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文主题：GDBUSB通信嵌入式系统嵌入式硬件仿真器更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《电子与封装》更多>>
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一款DSP指令集模拟器性能优化技术研究
《电子与封装》2013年第4期31-35,40,共6页阮园 王胜 张庆文 
文中研究和设计的指令集模拟器(Instruction Set Simulator,ISS)仿真了"中微一号"(ZW100)DSP指令系统和存储器系统行为。在现代嵌入式系统设计过程中,ISS能够在硬件原型构造出来之前,完成对处理器设计的正确性验证和性能分析工作;同时,...
关键词：指令集模拟器 优化技术 虚拟页表 预执行缓存 
GDB RSP协议与USB通信在嵌入式调试系统中的应用被引量：7
《电子与封装》2013年第3期43-48,共6页盛建忠 王胜 张庆文 
对于嵌入式系统开发来说,远程调试器非常重要,而GDB RSP协议与USB通信一般在嵌入式调试系统中占有重要位置。文章在研究GDB RSP协议与USB通信的基础上,针对ZW100 DSP处理器的体系架构,给出了一种基于RSP命令交互与USB数据通信实现硬件...
关键词：RSP协议 USB通信 嵌入式系统 远程交叉调试 硬件仿真器 
Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究被引量：1
《电子与封装》2010年第10期24-27,共4页王胜 黄伟 张树丹 许居衍 
文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为...
关键词：Ni(W)Si 肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱 快速热退火 
用于功率变换的高击穿增强型AlGaN/GaN HEMTs被引量：1
《固体电子学研究与进展》2010年第3期463-468,共6页黄伟 王胜 张树丹 许居衍 
首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿...
关键词：铝镓氮/氮化镓异质结场效应晶体管 四氟化碳等离子体轰击 增强型 击穿电压 源场板 比导通电阻 
一种基于VFM直流升压型开关变换器设计
《电子与封装》2009年第7期22-25,36,共5页万清 王胜 王成 
开关电源具有体积小、效率高等一系列优点,在各类电子产品中得到广泛的应用。文章首先从系统的角度,阐述了用内带限流保护的可变频调制工作模式,来实现升压型DC-DC电源转换器的原理。同时给出了一种基于变频模式开关电源变换器的设计过...
关键词：DC/DC变换器 PFM PWM VFM 
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