许居衍

作品数:7被引量:5H指数:2
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发文主题:HBTSIGE_HBTEEPROM单元EEPROM双层多晶硅更多>>
发文领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊:《应用科学学报》《东南大学学报(自然科学版)》《电子学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金:江苏省青年科技基金国家自然科学基金更多>>
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超薄基区SiGe HBT基区渡越时间模型
《应用科学学报》2000年第3期259-262,共4页李垚 廖小平 吴晓洁 魏同立 许居衍 
通过分析SiGe HBT超薄基区中非平衡效应对载流子温度,扩散系数等参量的影响,建立了超薄SiGeHBT基区渡越时间模型。
关键词:SIGE 异质结双极晶体管 超薄基区 HBT 
超薄基区SiGe HBT电流传输模型被引量:1
《Journal of Semiconductors》2000年第1期97-101,共5页李垚 孔德义 魏敬和 许居衍 
从玻尔兹曼方程出发,分析了SiGe HBT超薄基区中载流子温度,扩散系数等参量的变化,建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区SiGe HBT电流传输模型.
关键词:HBT 电流传输 锗化硅 超薄基区 
改进的电压倍增器模型及其应用被引量:2
《东南大学学报(自然科学版)》1997年第1期82-86,共5页于宗光 魏同立 许居衍 王鸿宾 
江苏省青年科技基金
分析了Dickson电压倍增器模型的局限性,提出了适用于N阱硅栅CMOS工艺的电压倍增器模型.用该模型研究了升压值与升压级数、升压时钟、升压管尺寸等的关系.模型计算结果和SPICE模拟结果吻合良好.在考虑了电流驱动能...
关键词:电压倍增器 升压电路 CMOS 升压值 
双层多晶硅FlotoxEEPROM单元的优化设计被引量:3
《应用科学学报》1997年第1期82-88,共7页于宗光 许居衍 王鸿宾 魏同立 
江苏省青年科技基金
建立了双层多晶硅flotoxEEPEOM存储管的阈值电压模型,利用该模型研究了擦/写阈值与擦/写时间、编程电压、隧道孔面积、隧道氧化层厚度的关系,采用1.4μmCMOS工艺设计了双层多晶硅flotox单元。模拟结果和...
关键词:浮栅隧道氧化物 EEPROM 只读存贮器 双层多晶硅 
硅异质结和赝异质结双极器件研究进展
《电子学报》1995年第10期144-147,共4页郑茳 许居衍 
国家自然科学基金
本文作者结合自己的工作,综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展,指出GeSiHBT将成为双极结构的主流技术,硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。
关键词: 异质结 赝异质结 双极器件 双极晶体管 
相位量化器专用芯片
《固体电子学研究与进展》1995年第1期90-90,共1页于宗光 徐爱华 王冠仁 许居衍 孟令杰 魏同立 
相位量化器专用芯片于宗光,徐爱华,王冠仁,许居衍(华晶电子集团公司中央研究所,无锡,214035)孟令杰,魏同立(东南大学,南京,210096)ApplicationSpecializedChipsforPhaseQ...
关键词:相位量化器 芯片 电子对抗 设备 
高输出电压的D/A转换器
《固体电子学研究与进展》1995年第1期89-89,共1页于宗光 常桂兰 赵晖 周一峰 华晓波 许居衍 孟令杰 魏同立 
高输出电压的D/A转换器于宗光,常桂兰,赵晖,周一峰,华晓波,许居衍(华晶电子集团公司中央研究所,无锡,214035)孟令杰,魏同立(东南大学,南京,210096)AD/AConvertorwithHigh-volt...
关键词:数-模转换器 输出电压 
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