超薄基区SiGe HBT基区渡越时间模型  

A Base Transit Time Model for Ultra-thin-base SiGe HBT

作　　者：李垚[1] 廖小平[2] 吴晓洁 魏同立 许居衍[3] 

机构地区：[1]中国科技大学物理系,安徽合肥230026 [2]东南大学微电子中心,江苏南京210096 [3]东南大学无锡应用科学与工程研究院,江苏无锡214071

出　　处：《应用科学学报》2000年第3期259-262,共4页Journal of Applied Sciences

摘　　要：通过分析ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中非平衡效应对载流子温度，扩散系数等参量的影响，建立了超薄ＳｉＧｅＨＢＴ基区渡越时间模型。The influences of non-equilibrium effect on the carrier temperature and diffusion coefficient in the ultra-thin-base SiGe HBT are analyzed in this paper. This leads to the forming of a base transit time model for ultra-thin-base SiGe HBT.

关 键 词：SIGE 异质结双极晶体管 超薄基区 HBT 

分 类 号：TN325[电子电信—物理电子学]