超薄基区SiGe HBT电流传输模型  

Base Transport Model for Ultra\|Thin\|Base SiGe HBT

作　　者：李垚[1] 孔德义[1] 魏敬和[1] 许居衍[1] 

机构地区：[1]东南大学无锡应用科学与工程研究院,无锡214071

出　　处：《Journal of Semiconductors》2000年第1期97-101,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：从玻尔兹曼方程出发，分析了ＳｉＧｅ ＨＢＴ超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区ＳｉＧｅ ＨＢＴ电流传输模型．According to the exact solution of Boltzmann equation,the characteristics of parameters such as carrier temperature and diffusion coefficient in ultra\|thin base of SiGe HBT are analyzed.And a new model of base transport in SiGe HBT different from traditional one is founded.

关 键 词：HBT 电流传输 锗化硅 超薄基区 

分 类 号：TN401[电子电信—微电子学与固体电子学]