砷注入

作品数：10被引量：3H指数：1
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：李向阳陆慧庆胡晓宁方家熊李言谨更多>>
相关机构：中国科学院山东大学电子工业部北京有色金属研究总院更多>>
相关期刊：《国外分析仪器技术与应用》《微电子学》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
磷砷注入对沟槽MOSFET静态参数的影响
《微电子学》2023年第4期730-734,共5页胡巍然 冯全源 
国家自然科学基金重点项目资助(61531016,62031016,61831017)
为了降低沟槽MOSFET器件导通电阻,提出了在传统沟槽MOSFET器件体区注入N型杂质的方案,优化了体区杂质浓度分布,从而降低导通电阻。经仿真验证,选择N+源区注入后注入砷,在能量为300 keV,剂量为7×10^(12)cm^(-2)条件下,特征导通电阻能降...
关键词：沟槽MOSFET 磷砷注入 耐压 阈值电压 导通电阻 
激光与砷注入碲镉汞的相互作用
《山东大学学报（自然科学版）》2000年第3期353-355,359,共4页姜润清 张燕 孙渝明 
山东省杰出青年科学家奖励基金资助项目!( 980 2 )
利用YAG脉冲激光器 (脉宽为 1 0ns,波长为 1 .0 6μm )对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火 ,分析不同能量密度的激光光束退火所引起的样品表面电学性质的变化 .激光能量密度越大 ,激光退火的效果越明显 .要达到理想的退火效果 ,样品表...
关键词：激光退火 砷注入 相互作用 碲镉汞化合物 半导体 
砷注入碲镉汞的激光退火
《红外技术》2000年第4期26-29,共4页张燕 李向阳 姜润清 孙喻明 方家熊 
利用脉冲YAG激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火实验 ,分析注入退火引起的样品电学性质的变化 ,认为激光退火能够消除辐射损伤 ,并激活注入杂质。同时对电导率 迁移率谱这一实验方法也做了较...
关键词：激光退火 砷注入 碲镉汞 
砷注入碲镉汞PonN结的电流电压特性被引量：1
《红外与激光工程》1999年第6期61-63,共3页赵军 李向阳 陆慧庆 胡晓宁 李言谨 方家熊 
国家自然科学基金
最近，选用Ｎ 型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ ｘＣｄｘＴｅ） 作衬底，成功制备了平面ＰｏｎＮ 结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ 结的一些进展。碲镉汞平面ＰｏｎＮ 结采用砷掺杂在Ｎ 型衬底上形成Ｐ区，砷...
关键词：碲镉汞 光电二极管 砷 注入 电流 电压 P-on-N结 
多晶硅发射极晶体管直流特性研究被引量：2
《半导体技术》1999年第1期28-31,共4页刘英坤 张大立 周名辉 张振宇 周晓黎 李锦标 
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较高的发射效率，高的电流能力，改善了ＥＢ击穿和ＣＢ击穿。电流增益依赖于淀积多晶硅前的表面处理条件。
关键词：多晶硅发射极 砷注入 电流增益 掺杂 晶体管 
砷注入碲镉汞光电二极管及其电学特性的等效分析
《激光与红外》1998年第3期176-179,共4页李向阳 赵军 陆慧庆 胡晓宁 方家熊 
通过对碲镉汞材料进行Ａｓ注入以及退火，成功地制备了Ｐ－ｏｎ－Ｎ型光伏器件。器件的截止波长为５．５，黑体探测率Ｄ（５００Ｋ，１Ｋ，１００）可达２．１×１０ｃｍＨｚＷ通过对器件的变温电流－电压关系的测量，利用等效电路进行...
关键词：碲镉汞光电二极管 砷注入及退火 电流电压特性 
硅中低能大倾斜角砷注入的损伤行为及其退火特性
《Journal of Semiconductors》1995年第7期546-551,共6页何治平 周祖尧 徐宏来 林成鲁 
超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术．本文借助于背散射沟道分析以及剥层霍尔测试，研究了能量为１０ｋｅＶ，入射束与样品法线的夹角分别为７°，１５...
关键词：硅 砷注入 损伤 退火 超线结 离子注入 
高剂量砷注入快速热退火硅中砷感生表面缺陷的能谱研究
《国外分析仪器技术与应用》1991年第4期54-59,共6页Kumar,SN 刘洁 
关键词：砷 离子注入 硅 退火 俄歇电子能谱 
砷注入硅中高温瞬态热退火研究
《半导体光电》1990年第3期286-288,共3页周冠山 
本文采用阳极氧化法剥层技术和扩展电阻法研究了砷离子注入硅中的高温瞬态热退火行为;测定了退火后杂质分布结深和杂质激活率,并与理论结果进行了比较。结果表明:120keV 砷注入5×10^(15)cm^(-2),经1180℃3分钟退火后,杂质激活率和再分...
关键词：砷 硅 热退火 离子注入 半导体 
砷注入硅热退火过程中杂质再分布的计算机模拟
《核技术》1989年第6期371-375,共5页张廷庆 刘家璐 李向明 温玉波 李东宏 
根据T.L.Chiu和H.N.Ghosh提出的双受主空位扩散模型,采用Crank-Nicolson六点差分法离散变系数扩散方程,对砷离子注入硅的扩散系数及退火后的杂质分布进行了计算机模拟,并与SRP实测结果、SUPREM-Ⅱ的模拟结果进行了比较。结果表明,用本...
关键词：砷 注入 计算机模拟 扩散系数 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部