胡晓宁

作品数：6被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院更多>>
发文主题：碲镉汞砷注入P-N-X更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《红外与激光工程》《固体电子学研究与进展》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院知识创新工程更多>>
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基于DEM辅助后向投影模型的InSAR高程反演方法被引量：5
《雷达学报（中英文）》2021年第3期391-401,共11页胡晓宁 汪丙南 向茂生 王钟斌 
国家自然科学基金(62073306);中国科学院青年创新促进会项目资助;国家重点研发计划资助(2017YFC0822400)。
利用干涉合成孔径雷达(InSAR)技术获取数字高程模型(DEM)时,在地形起伏剧烈区域,干涉条纹十分密集,增加了相位解缠的难度,影响相位展开和高程反演的精度。为了解决该问题,该文提出了一种基于DEM辅助后向投影模型的InSAR高程反演方法。...
关键词：高程反演 干涉合成孔径雷达 辅助数字高程模型 BP算法 合成孔径雷达 
面向HgCdTe红外焦平面探测器应用的分子束外延材料研究进展被引量：4
《中国科学：物理学、力学、天文学》2014年第4期341-349,共9页陈路 傅祥良 王伟强 沈川 胡晓宁 叶振华 林春 丁瑞军 陈建新 何力 
国家自然科学基金重大项目资助(批准号:61290302)
报道了针对第三代碲镉汞红外焦平面的应用需求进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表...
关键词：红外焦平面 碲镉汞 分子束外延 
Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究
《红外与毫米波学报》2011年第5期412-414,418,共4页张姗 胡晓宁 
中国科学院知识创新工程前沿前瞻性项目(批准号:C2-53)
通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗...
关键词：Si基HgCdTe 少子寿命 少子扩散长度 变温特性 
Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长被引量：1
《固体电子学研究与进展》2000年第4期414-418,共5页朱顺明 江宁 臧岚 韩平 刘夏冰 程雪梅 江若琏 郑有炓 胡晓宁 方家熊 
国家自然科学重点基金;教育部博士点基金项目资助
研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 ...
关键词：快速加热超低压化学气相淀积 非平衡生长 代位式 
砷注入碲镉汞PonN结的电流电压特性被引量：1
《红外与激光工程》1999年第6期61-63,共3页赵军 李向阳 陆慧庆 胡晓宁 李言谨 方家熊 
国家自然科学基金
最近，选用Ｎ 型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ ｘＣｄｘＴｅ） 作衬底，成功制备了平面ＰｏｎＮ 结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ 结的一些进展。碲镉汞平面ＰｏｎＮ 结采用砷掺杂在Ｎ 型衬底上形成Ｐ区，砷...
关键词：碲镉汞 光电二极管 砷 注入 电流 电压 P-on-N结 
n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心
《红外与毫米波学报》1996年第1期29-32,共4页周洁封 松林 卢励吾 司承才 李言谨 胡晓宁 
利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ...
关键词：复合中心 深能级瞬态谱 HGCDTE 
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