n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心  

RECOMBINATION CENTRES IN n TYPE Hg 1- x Cd x Te

作　　者：周洁封 松林 卢励吾[1,2] 司承才[3] 李言谨[3] 胡晓宁[3] 

机构地区：[1]中国科学院半导体所 [2]半导体超晶格国家实验室 [3]中国科学院上海技术物理研究所

出　　处：《红外与毫米波学报》1996年第1期29-32,共4页Journal of Infrared and Millimeter Waves

摘　　要：利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式。The capture mechanism of H 2(0.29) hole trap in the p +n junction of Hg 1- x Cd x Te( x =0.4) by using Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) was investigated. It was found that it does not satisfy the mechanism of cascade or Auger recombination. The temperature dependence of the hole capture cross section of H 2(0.29) satisfied σ(T)=σ ∞exp (- E B/kT ).It reflects that the multiphonon nonradiative recombination mechanism is the decisive one.

关 键 词：复合中心 深能级瞬态谱 HGCDTE 

分 类 号：TN304.26[电子电信—物理电子学] O471.4[理学—半导体物理]