臧岚

作品数：14被引量：19H指数：3
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发文主题：GAN氮化镓SIXY更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光电子．激光》《半导体光电》《南京大学学报（自然科学版）》《高技术通讯》更多>>
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Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金生长中C的影响
《高技术通讯》2001年第12期84-86,共3页刘夏冰 臧岚 朱顺明 程雪梅 韩平 罗志云 郑有炓 
国家自然科学基金;教育部博士后基金资助项目
报道了Si基Si1 x yGexCy 合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用 ,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型 ,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系 ,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。
关键词：集成电路 生长速率 光电功能材料 SI1-X-YGEXCY 硅基 原子排列 抑制作用 硅锗碳三元化合物 分子束外延生长 
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
《高技术通讯》2000年第8期34-36,共3页周玉刚 李卫平 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 
863计划;国家自然科学基金资助项目
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对...
关键词：ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应 光加热 
Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长被引量：1
《固体电子学研究与进展》2000年第4期414-418,共5页朱顺明 江宁 臧岚 韩平 刘夏冰 程雪梅 江若琏 郑有炓 胡晓宁 方家熊 
国家自然科学重点基金;教育部博士点基金项目资助
研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 ...
关键词：快速加热超低压化学气相淀积 非平衡生长 代位式 
Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第7期677-681,共5页程雪梅 郑有炓 刘夏冰 臧岚 朱顺明 韩平 罗志云 江若琏 
国家自然科学重点基金项目 !( 6963 60 4 0 );高等学校博士学科点专项科研基金资助项目;国家攀登计划资助项目
采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄膜 ,然后将其分别在 80 0℃和 1 1 0 0℃下湿氧氧化2 0 min.在室温下观测到强烈的光致发光 .室温下的光致...
关键词：薄膜 室温光致发光 SI基 SIGEC 
能隙阶梯缓变结构Si_(1-x)Ge_x/Si光电探测器
《高技术通讯》2000年第6期10-12,共3页罗志云 江若琏 郑有炓 臧岚 朱顺明 程雪梅 刘夏冰 
863计划!( 863 3 0 7 0 5 0 6( 0 6) );国家自然科学基金!( 6963 60 10 )资助项目
提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器─—能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/SiPIN型近红外光电探测器。理论分析表明 ,能隙缓变增大了载流子的离化率 ,价带的不连续则有利于空穴离化 ,从而对载流子的收集有利 ,可获得高的光电响应。实验...
关键词：能隙梯度 光电响应度 红外光电探测器 
Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管
《半导体光电》2000年第1期27-29,共3页江若琏 罗志云 陈卫民 臧岚 朱顺明 徐宏勃 刘夏冰 程雪梅 陈志忠 韩平 郑有炓 
86 3计划;国家自然科学重点基金资助项目!(6 96 36 0 10 )
采用低温生长缓冲层，高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层，以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ...
关键词：光电二极管 异质结 硅基 硅化鳍 
SiGeC/Si异质结光电探测器(英文)
《南京大学学报（自然科学版）》2000年第1期116-118,共3页江若琏 陈卫民 罗志云 臧岚 朱顺明 韩平 郑有 
theNationalScienceFoundationofChina!(No :6 96 36 0 10 );theNationalHighTechnologyResearchandDevelopmentprojectofChina![No :86
关键词：光电探测器 SiGeC/Si 异质结 响应度 
Si_(1-X)Ge_X/Si红外光电探测器被引量：4
《光电子．激光》2000年第1期17-19,共3页江若琏 罗志云 陈卫民 臧岚 朱顺明 刘夏冰 程雪梅 陈志忠 韩平 王荣华 郑有斗 
国家"八六三"计划资助项目!( 863 -3 0 7-96-0 5 ( 0 5 ) );国家自然科学基金资助项目 !( 6963 60 10 )
本文报导了用两种缓冲层生长技术研制的 Si1- XGe X/ Si异质结 pin型红外探测器。其波长范围为0 .70～ 1.5 5 μm,峰值波长为 0 .96～ 1.0 6 μm,暗电流密度低达 0 .0 3μA/ mm2 ( - 2 V) ,在 1.30 μm处的响应度高达 0 .15 A/ W( - 5 V...
关键词：光电探测器 锗化硅合金 红外探测器 
Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究
《Journal of Semiconductors》1999年第8期650-655,共6页江宁 臧岚 江若琏 朱顺明 刘夏冰 程雪梅 韩平 王荣华 胡晓宁 方家熊 
本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明...
关键词：硅 三元合金薄膜 化学气相淀积 
α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1999年第1期62-66,共5页陈志忠 沈波 杨凯 张序余 陈浩 陈鹏 臧岚 周玉刚 郑有炓 吴宗森 孙晓天 陈峰 
本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域，即起始衰减区域和拖尾区域，分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在...
关键词：氧化铝 氮化镓 外延生长 
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