云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- SIGEC

SIGEC: 作品数：16被引量：9H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：张鹤鸣宣荣喜宋建军胡辉勇刘静更多>>; 相关机构：西安电子科技大学西安理工大学南京大学中国科学技术大学更多>>; 相关期刊：《微电子技术》《微电子学》《Chinese Physics B》《电子学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划陕西省教育厅科研计划项目更多>>

SiGeC薄膜表征对于光刻对准性能的影响研究: 《电子与封装》2013年第3期32-35,共4页王霞珑; Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与Si工艺兼容,采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar...; 关键词：SI1-X-YGEXCY 光学表征对准性能 HBT异质结双极晶体管

可挠式矽薄膜太阳能电池: 《國家奈米元件實驗室奈米通訊》沈昌宏謝嘉民; 此篇文章将介绍国家奈米元件实验室(NDL)利用开发多年之低温、低成本、高品质之矽薄膜技术，发展可挠式矽薄膜太阳能电池。本团队目前已成功的利用高密度电浆化学气相沉积(HDPCVD)成长出各类型的矽薄膜，如：非晶矽(a-Si)、微晶矽(μc-...; 关键词：高密度電漿可撓式多接面SiGeC太陽能電池

超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究被引量：1: 《电子学报》2009年第11期2525-2529,共5页刘静高勇; 国家自然科学基金(No.50477012);高等学校博士学科点专向科研基金(No.20050700006); 提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构.基于异质结电流输运机制,该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流.与少子寿命控制技术相比,该器件有效协调了降低通...; 关键词：硅锗碳超低漏电流超快恢复热稳定性

Research on reverse recovery characteristics of SiGeC p-i-n diodes被引量：1: 《Chinese Physics B》2008年第12期4635-4639,共5页高勇刘静杨媛; Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant No 50477012);the Foundation of Excellent Doctoral Dissertation of Xi’an University of Technology and the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education of China (Grant No 20050700006); This paper analyses the reverse recovery characteristics and mechanism of SiGeC p-i-n diodes. Based on the integrated systems engineering （ISE） data, the critical physical models of SiGeC diodes are proposed. Based ...; 关键词：SIGEC softness factor THERMAL-STABILITY lifetime control

SiGeC异质结功率二极管通态特性研究: 《固体电子学研究与进展》2008年第3期455-459,共5页马丽高勇刘静王彩琳; 国家自然科学基金(50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(20050700006);陕西省教育厅专项科研计划资助(05JK268); 研究了一种大功率低功耗p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管结构,分析了Ge、C含量对器件正向通态特性的影响。结果表明:与常规的Si p-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000 A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降有明显的降低。当...; 关键词：硅锗碳/硅异质结功率二极管正向通态特性大功率低功耗

Improvement of High Temperature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with Carbon Incorporation被引量：1: 《Chinese Physics Letters》2008年第6期2285-2288,共4页高勇刘静杨媛; Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 50477012, and the Specialized Research Fund for the Doctoral Programme of Higher Education of China under Grant No 20050700006.; Temperature-dependent characteristics of SiGeC p-i-n diodes axe analysed and discussed. Based on the ISE data, the temperature-dependent physical models applicable for SiGeC/Si diodes are presented. Due to the additio...; 关键词：supernova explosion proto-neutron star shock wave

元器件与组件: 《今日电子》2007年第12期119-120,共2页; PPTC电流过载保护器件,晶闸管浪涌保护器件,基于SiGeC BiCMOS工艺的微波NPN晶体管，可单独控制红色。; 关键词：元器件 BICMOS工艺组件过载保护器件浪涌保护器件 NPN晶体管 SIGEC PPTC

SiGe和SiGeC HBT速度过冲模型被引量：1: 《微电子学》2007年第3期316-319,共4页蔡瑞仁李垚; 建立了超薄基区Si Ge和Si GeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge的分布对Si Ge BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布...; 关键词：速度过冲电子温度 SIGE HBT SIGEC HBT

大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管被引量：1: 《物理学报》2007年第12期7236-7241,共6页马丽高勇刘静王彩琳; 国家自然科学基金(批准号:50477012);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050700006);陕西省教育厅专项科研计划(批准号:05JK268)资助的课题.~~; 为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求,提出了一种大功率低功耗快速软恢复p+(SiGeC)-n--n+异质结二极管.与常规的Sip-i-n二极管相比,在正向电流密度不超过1000A/cm2情况下,p+(SiGeC)-n--n+二极管的正向压降减少了约1/5,...; 关键词：快速软恢复大功率低功耗 SiGeC/Si异质结功率二极管

SiGeC三元合金的研究进展被引量：1: 《微纳电子技术》2004年第7期1-9,14,共10页赵雷左玉华王启明; 国家自然科学重点基金项目(60336010);973项(TG2000036603);863计划项目(2002AA312010); SiGeC三元合金是一种新型的Ⅳ-Ⅳ族半导体材料,其中的碳可以为SiGe合金提供应变补偿,调节能带结构,提高热稳定性,从而有利于高性能光电器件的制备。本文总结了近年来关于SiGeC的性能、制备和应用方面的若干研究结果,并对SiGeC进一步的...; 关键词：SIGEC 应变补偿能带偏移制备应用

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