SI1-X-YGEXCY

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SiGeC薄膜表征对于光刻对准性能的影响研究
《电子与封装》2013年第3期32-35,共4页王霞珑 
Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与Si工艺兼容,采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar...
关键词：SI1-X-YGEXCY 光学表征对准性能 HBT异质结双极晶体管 
Si_(1-x-y)Ge_xC_y的淀积工艺和材料特性
《半导体技术》2012年第7期517-521,571,共6页肖胜安 季伟 
国家科技重大专项资助项目(20118X02506)
研究了利用减压外延的方法制备Si1-x-yGexCy薄膜的特性及与工艺参数之间的关系,给出了改善表面粗糙度、减少有源区关键尺寸(CD)减少量的方法。在单晶硅、图形硅片α-Si和光片α-Si表面Si1-x-yGexCy上淀积的Si1-x-yGexCy薄膜的表面形貌不...
关键词：SI1-X-YGEXCY 异质结双极晶体管 有源区CD减少 STI凹陷 硼扩散 
Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金生长中C的影响
《高技术通讯》2001年第12期84-86,共3页刘夏冰 臧岚 朱顺明 程雪梅 韩平 罗志云 郑有炓 
国家自然科学基金;教育部博士后基金资助项目
报道了Si基Si1 x yGexCy 合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用 ,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型 ,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系 ,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。
关键词：集成电路 生长速率 光电功能材料 SI1-X-YGEXCY 硅基 原子排列 抑制作用 硅锗碳三元化合物 分子束外延生长 
Si基富Ge含量Si_(1-x-y)Ge_xC_y异质结构的热退火行为研究
《高技术通讯》2000年第10期32-35,共4页程雪梅 郑有炓 韩平 刘夏冰 朱顺明 罗志云 江若琏 
国家自然科学基金!( 696360 4 0 );高等学校博士学科点专项科研基金;国家攀登计划资助项目
研究了Si基富Ge含量的Si1 x yGexCy 异质结构的热退火行为。采用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)法在Si(10 0 )衬底上淀积一层厚度为 170nm的Si1 x yGexCy 薄膜 (x～ 0 .7,y～ 0 .15) ,并在其上覆盖一Ge层。将样品分别在 6 50℃和 80 ...
关键词：热退火 GE/SI1-X-YGEXCY/SI异质结构 PECVD 硅基 三元体系合金 
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