Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金生长中C的影响  

Effects of C on the Growth of Si_(1-x-y) Ge_xC_y Alloys on Si (100) Substrates

作　　者：刘夏冰[1] 臧岚[1] 朱顺明[1] 程雪梅[1] 韩平[1] 罗志云[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210093

出　　处：《高技术通讯》2001年第12期84-86,共3页Chinese High Technology Letters

基　　金：国家自然科学基金;教育部博士后基金资助项目

摘　　要：报道了Si基Si1 x yGexCy 合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用 ,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型 ,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系 ,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。The suppressive effects of C in the growth of Ge-rich Si 1-x-y Ge xC y alloys on Si (100) substrates. On Ge content and growth rate of the alloys are reported first. A possible mechanism for the suppressive effects is proposed. After the calculations of atomic configuration based on a reasonable hypothesis, the dependence of the suppression degree on Ge/C atom ratio was obtained. A tendency for the suppressive effect to the full extent will apear with increasing Ge concentration in the growth of Si 1-x-y Ge xC y alloys.

关 键 词：集成电路 生长速率 光电功能材料 SI1-X-YGEXCY 硅基 原子排列 抑制作用 硅锗碳三元化合物 分子束外延生长 

分 类 号：TN304.0[电子电信—物理电子学]