王霞珑

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SiGeC薄膜表征对于光刻对准性能的影响研究
《电子与封装》2013年第3期32-35,共4页王霞珑 
Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与Si工艺兼容,采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar...
关键词：SI1-X-YGEXCY 光学表征对准性能 HBT异质结双极晶体管 
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