速度过冲

作品数：11被引量：4H指数：1
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小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究
《物理学报》2011年第9期752-758,共7页屈江涛 张鹤鸣 秦珊珊 徐小波 王晓艳 胡辉勇 
国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,6139801)资助的课题~~
本文运用高斯定律得出多晶SiGe栅应变SinMOSFET的准二维阈值电压模型,并从电流密度方程出发建立了小尺寸应变SinMOS器件的I-V特性模型.对所得模型进行计算分析,得出沟道Ge组分、多晶Si1-yGey栅Ge组分、栅氧化层厚度、应变Si层厚度、栅...
关键词：多晶SiGe栅 高斯定理 阈值电压 速度过冲 
考虑速度过冲的单载流子光探测器特性被引量：1
《半导体光电》2010年第3期349-352,共4页李国余 张冶金 李小健 田立林 
国家自然科学基金项目(60736002);国家"863"计划项目(2007AA03Z408)
通过在器件模拟中引入考虑了速度过冲效应的水动力学模型,对单载流子光探测器(UTC-PD)的传统漂移扩散模型进行了改进。结果表明,电子的速度过冲有效地减小了空间电荷效应,从而提高了器件的带宽。同时,通过对器件的直流和交流特性分析,...
关键词：UTC-PD 水动力学 热载流子 速度过冲 渡越时间 
Si能带的非抛物线性对MOSFET电子输运的影响被引量：1
《半导体技术》2008年第3期235-238,共4页李海霞 毛凌锋 
国家自然科学基金(60606016)
随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要。在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响。研究表明,非抛物线因子对小尺寸器件输运电流的影响...
关键词：深亚微米金属-氧化物半导体场效应晶体管 非抛物线因子 全能带蒙特卡罗 速度过冲 
SiGe和SiGeC HBT速度过冲模型被引量：1
《微电子学》2007年第3期316-319,共4页蔡瑞仁 李垚 
建立了超薄基区Si Ge和Si GeC HBT的速度过冲模型。通过求解能量平衡方程,得到电子温度分布,B-C结附近的电子温度远高于晶格温度。Ge的分布对Si Ge BHT速度分布影响很大,对于线性分布,Ge梯度越大,速度过冲越明显;Ge梯度一样时,线性分布...
关键词：速度过冲 电子温度 SIGE HBT SIGEC HBT 
适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型被引量：1
《物理学报》2006年第11期5878-5884,共7页朱志炜 郝跃 张金凤 方建平 刘红侠 
国家自然科学基金(批准号:60376024)资助的课题.~~
分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性.NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关,从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法...
关键词：静电放电 速度过冲 能量弛豫时间 
GaAs HBT中BC结耗尽区电子渡越时间的修正
《固体电子学研究与进展》2003年第1期30-34,共5页石瑞英 刘训春 石华芬 钱永学 
在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非...
关键词：GAAS HBT 砷化镓异质结双极晶体管 能量弛豫时间 速度过冲 BC结耗尽区电子渡越时间 
电源及其系统
《电子科技文摘》1999年第5期11-12,共2页
Y98-61303-877 99056910.1微米 CMOS 逆变器转换速度过冲的蒙特卡罗研究=Monte Carlo study of velocity overshoot in switching a0.1-micron CMOS inverter[会,英]/Laux,S.E.&Fischetti,M.V.//1997 IEEE International ElectronDevice...
关键词：逆变器 蒙特卡罗研究 微处理机 开关式电源 速度过冲 控制环路 隔离电源 系统可靠性评估 电子设备 实时 
考虑速度过冲效应的HEMT物理模型
《微波学报》1997年第3期188-194,187,共8页黄艺 沈楚玉 
本文提出一种考虑速度过冲效应的HEMT器件静态和小信号解析物理模型。通过对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型，在非线性电荷控制模型的基础上，导出了基于物理参数的HEMT器件电流...
关键词：速度过冲 HMET 微波 半导体器件 
一种新的HEMT器件I－V特性解析模型
《东南大学学报（自然科学版）》1996年第4期15-19,共5页黄艺 沈楚玉 
国家"八五"攻关项目资助
提出一种考虑速度过冲效应的ＨＥＭＴ器件Ｉ－Ｖ特性解析模型．在非线性电荷控制模型的基础上，对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型．经实际计算结果表明。
关键词：电流-电压特性 异质结 场效应晶体管 速度过冲 
短沟道MOSFET渡越时间物理模型
《固体电子学研究与进展》1995年第2期142-148,共7页牛国富 阮刚 
叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来...
关键词：渡越时间 速度过冲 MOSFET 沟道 物理模型 
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