GaAs HBT中BC结耗尽区电子渡越时间的修正  

Revision of Electron Transit Time in BC Junction Depletion Region in GaAs HBT

作　　者：石瑞英[1,2] 刘训春[2] 石华芬[2] 钱永学[2] 

机构地区：[1]四川大学物理系 [2]中国科学院微电子中心,北京100029

出　　处：《固体电子学研究与进展》2003年第1期30-34,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非以饱和速度 Vsat渡越 BC结耗尽区 ,而是以更高的速度运动。基于上述理论 ,对产生截止频率误差的 BC结耗尽区电子渡越时间τsc进行了修正。利用修正后的公式对文献中的数据进行了重新计算 ,得到了令人满意的结果。From the calculation of GaAs HBT in the reported papers, the cutoff frequencies in theory were much deviated from experiment, but there werent any calculated f T results in those papers. Focus on this problem, this paper analyzed the reason of the deviation between the theoretic results and the experimental values, and revised the transit time τ sc formula in the BC junction depletion region which caused the deviation. Using the revised formula, the f T of the HBT was re-calculated according to the data in the reported papers, and got a satisfied result.

关 键 词：GAAS HBT 砷化镓异质结双极晶体管 能量弛豫时间 速度过冲 BC结耗尽区电子渡越时间 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]