牛国富

作品数:6被引量:3H指数:1
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供职机构:复旦大学信息科学与工程学院电子工程系更多>>
发文主题:场效应晶体管SOI结构SIMOX二氧化硅硅膜更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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AlGaAs/InGaAs/GaAs异质结构中扩散噪声和扩散系数的蒙特卡罗研究
《Journal of Semiconductors》1996年第11期801-806,共6页吴渊 牛国富 阮刚 
国家自然科学基金
本文用蒙特卡罗法研究了AlGaAs/InGaAs/GaAs异质结构中二维电子气的扩散噪声和扩散系数.同AlGaAs/GaAs异质结构的情况一样,平行速度相关函数呈现振荡,但不同的是振幅随电子密度变化很小.另外,振幅在...
关键词:ALGAAS INGAAS 砷化镓 扩散噪声 扩散系数 
短沟道MOSFET渡越时间物理模型
《固体电子学研究与进展》1995年第2期142-148,共7页牛国富 阮刚 
叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的MOSFET渡越时间解析模型,计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型,探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同,并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来...
关键词:渡越时间 速度过冲 MOSFET 沟道 物理模型 
为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
《Journal of Semiconductors》1994年第9期611-616,共6页牛国富 阮刚 
本文提出了一个为SIMOXSOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0×1018cm-2剂量范围和50—300keV能量范围.模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好.本模型对SIMOX工艺...
关键词:硅膜 二氧化硅 SOI 离子注入 
考虑速度过冲效应的亚1/4微米MOSFET器件解析模型
《固体电子学研究与进展》1994年第1期14-21,共8页牛国富 阮刚 
提出了一个考虑速度过冲效应的亚1/4微米MOSFET器件解析模型。亚1/4微米MOSFET靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似,根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果,提出了...
关键词:载流子温度 场效应晶体管 速度效应 
为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型被引量:3
《Journal of Semiconductors》1993年第9期573-578,共6页牛国富 阮刚 
本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10^(18)cm^(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参...
关键词:硅膜 二氧化硅 SOI结构 埋层 SIMOX 
一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法
《固体电子学研究与进展》1993年第1期9-13,共5页牛国富 汤庭鳌 Carlos A.Paz de Araujo 
采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。
关键词:亚阈值电流 MOS 场效应晶体管 
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