硅膜

作品数：314被引量：482H指数：10
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薄硅膜SOI LDMOS器件的HCI劣变机理研究
《微电子学与计算机》2024年第12期132-138,共7页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 赵杨婧 
由于薄硅膜——绝缘体上硅型横向扩散金属氧化物半导体(Silicon On Insulator Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,SOI LDMOS)制作在厚度仅有几十到几百纳米的硅膜上,器件在高电压、大电流的作用下,热载流子注入(Hot Carrier...
关键词：绝缘体上硅 横向扩散金属氧化物半导体 热载流子注入 电荷泵 缺陷 
一种有机杂化硅膜分子模型的重构研究
《膜科学与技术》2024年第5期40-46,共7页张涛 靳栋梁 吴楠桦 钟璟 
常州市科技项目(CZ20220033)。
BTESA有机杂化硅膜具有复杂的无定形结构,广泛应用于气体分离、有机溶剂处理和能源存储等领域,但目前仍缺乏成熟的分子级表征模型.本文结合分子动力学模拟和反应力场,在纳米尺度上构建BTESA有机杂化硅膜的分子模型,并采用X射线衍射、径...
关键词：有机杂化硅膜 分子动力学 化学结构 反应力场 孔隙拓扑 
薄硅膜SOI N型LDMOS浮体效应优化研究
《中国集成电路》2024年第6期72-74,81,共4页纪旭明 邵红 李金航 顾祥 张庆东 谢儒彬 
为避免PD SOI浮体效应对高压N型LDMOS器件的击穿电压的影响,本文从SOI LDMOS器件的结构和工艺出发,分析了N型LDMOS衬底电荷积累的影响,研究体引出优化方法,通过流片验证了方案的可行,规避了浮体效应引起的击穿电压的降低及漏电增加,为SO...
关键词：PD SOI LDMOS 浮体效应 击穿电压 功率集成 
长余辉标线涂料用改性发光粉的制备及性能
《涂料工业》2024年第5期32-38,共7页程科 邓晋阳 张久鹏 赵晓康 张佳维 常佳欣 张柳 
陕西省博士后科研项目(2023BSHYDZZ121);西安咸阳国际机场创新项目(CWAG-XY-2022-FW-0299)。
旨在选用双硅膜嫁接改性技术对铕、镝掺杂的铝酸锶(SrAl_(2)O_(4):Eu^(2+),Dy^(3+))类蓄能发光粉进行成膜保护处理,采用化学沉淀法以硅酸钠为原料制备第一层无机硅膜,采用溶胶-凝胶法以KH570为原料制备第二层有机硅膜,而后嫁接丙烯酸膜...
关键词：路面标线 长余辉涂料 蓄能发光粉 双硅膜嫁接改性 耐水性 
水硅比调控有机-无机杂化SiO_(2)膜制备与乙酸脱水渗透汽化性能
《膜科学与技术》2023年第5期44-49,57,共7页张子男 任秀秀 钟璟 徐荣 郭猛 吴梓豪 刘若妍 
国家重点研发计划项目(2022YFB3805003);常州市科技计划项目(CJ20220140,CZ20220033)。
以1,2-双(三乙氧基硅基)乙烷(BTESE)为硅源前驱体,通过酸催化溶胶-凝胶法制备了BTESE有机-无机杂化SiO_(2)膜。为了提高其渗透汽化乙酸脱水性能,通过溶胶合成中水硅比(H_(2)O/BTESE)对硅网络进行调控。随着水含量的增大,水解的Si-OH增多...
关键词：杂化硅膜 水硅比 渗透汽化 乙酸脱水 
基于Fabry-Perot的高灵敏度局部放电检测传感器被引量：2
《传感器与微系统》2023年第7期90-93,共4页吴明孝 李雪桓 周少珍 杨威 付刚 
国网河南省电力公司科技攻关项目(002126)。
提出了一种用于局部放电检测的高灵敏度微型光纤法布里—珀罗(F-P)传感器。利用MEMS技术由单模光纤端面和具有波纹结构的氮化硅(Si3N4)膜构成。实验分析了传感器不同膜片结构的性能。结果表明:所提出的传感器1 kHz声信号下,声压为38.86 ...
关键词：光纤传感器 光纤法布里—珀罗 氮化硅膜 波纹膜结构 
低压化学气相沉积制备低应力氮化硅膜的研究
《电子工业专用设备》2023年第2期1-5,9,共6页张泽东 申强 周健 祖二健 
采用低压化学气相沉积方法,通过改变工艺气体配比,在硅衬底上生长低应力氮化硅薄膜。用应力仪、椭偏仪对生成的氮化硅薄膜的应力、生长速率、均匀性、折射率及腐蚀速率等进行实验。实验结果表明:低应力氮化硅薄膜制备的关键是增大DCS和...
关键词：低应力 氮化硅 薄膜 折射率 
东岳集团氟硅膜氢26个高科技成果加速产业化
《中国氯碱》2022年第12期61-61,共1页
近日,东岳集团PVDF全产业链项目投产暨氟硅膜氢26个高科技成果加速产业化启动仪式在神舟公司万吨PVDF项目现场举行。据悉,作为东岳集团转型发展的重要战略项目,PVDF全产业链项目分三期建设,目前一、二期已投产运行。新投产的万吨动力锂...
关键词：高科技成果 全产业链 转型发展 动力锂离子电池 产品牌号 氟硅 产业化 投产运行 
金刚石微粉表面的纳米硅烷化改性及其抗氧化性能被引量：3
《金刚石与磨料磨具工程》2022年第4期410-420,共11页庞爱红 董欣然 董俊言 沈方韧 谭素玲 贾晨超 董书山 毛青青 吴增凤 
采用溶胶−凝胶技术和正硅酸乙酯(TEOS)的水解−缩合反应,在金刚石微粉表面包覆一层厚度为2~10 nm的富含活性氧基团的纳米氧化硅非晶凝胶膜,凝胶膜在加热至一定温度后,其二氧化硅可由非晶相向晶体相转变。金刚石微粉在空气中的初始氧化温...
关键词：金刚石表面改性 正硅酸乙酯(TEOS) 非晶二氧化硅膜 溶胶−凝胶法 差热分析 
电感耦合等离子体串联质谱法测定半导体级磷酸中15种痕量杂质元素被引量：2
《理化检验（化学分册）》2022年第7期787-790,共4页王金成 王沿方 周浩 李晓丽 贾逸豪 
半导体级磷酸是电子行业使用的一种超高纯化学试剂,广泛应用于超大规模集成电路、薄膜液晶显示器等微电子工业,主要用于硅晶片中氮化硅膜、镀金属膜和铝硅合金膜的湿法清洗和蚀刻[1-2]。在硅晶片的蚀刻过程中,磷酸中痕量杂质元素对电子...
关键词：痕量杂质元素 金属膜 过渡金属 微电子工业 硅晶片 液晶显示器 超大规模集成电路 氮化硅膜 
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