SOI结构

作品数：47被引量：52H指数：4
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SOI结构纳米生物传感器的制备与研究
《电子世界》2022年第2期30-32,共3页刘锐 王欣宇 周圣淏 任毅 吴科鑫 鞠家欣 张静 
生物传感器是一种通过使用生化受体和转导元件接触中进行特定分析检测的一种独立的集成装置,可以迅速且准确地检测并测定和疾病相关的蛋白质生物对于早期筛查肿瘤和早期病情诊断也有着非同寻常的重要意义。近几十年来,不断拓宽的生物电...
关键词：纳米生物传感器 生物电子学 光电子技术 病情诊断 折射率差 集成电路应用 耦合损耗 降低损耗 
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究被引量：1
《核技术》2019年第12期43-48,共6页孙静 郭旗 郑齐文 崔江维 何承发 刘海涛 刘许强 刘梦新 
国家自然科学基金(No.11605283、No.U1630141、No.11975305);中国科学院西部之光项目(No.2017-XBQNXZ-B-008)资助~~
绝缘体上硅埋氧层(Silicon-On-Insulator Buried Oxide,SOI BOX)P型金属氧化物半导体场效应晶体管(Positive channel Metal Oxide Semiconductor,PMOS)是用于新型高灵敏度辐射探测仪的一种关键器件。通过试验研究了SOI BOX PMOS的辐照...
关键词：辐照传感器 基于绝缘体上硅P型金属氧化物半导体场效应晶体管 剂量计 
基于Silvaco Atlas的SOI器件性能仿真研究
《电子制作》2017年第12期26-27,共2页黄玮 杨月霞 林慧敏 
江苏高校品牌专业建设工程资助项目;项目编号ppzy B190
本文主要针对SOI器件结构展开研究,对于SOIMOS器件的结果和特性进行分析,讨论,并利用SILVACO TCAD软件来对SOI的器件结构与性能进行仿真,与研究分析结果进行比对,可以看出SOI器件能够有效改善MOS器件的阈值和亚阈值特性。
关键词：Silvaco ATLAS SOI结构 SOIMOS器件 
守得云开,FD-SOI工艺迎来爆发期
《今日电子》2016年第4期24-24,共1页
FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现的。由于采用超薄硅层,所以不需要沟道掺杂,使晶体管得以全耗尽。此外,薄氧化埋层使得基...
关键词：SOI工艺 绝缘硅片 爆发 大规模集成 SOI结构 晶体管 沟道掺杂 摩尔定律 
OB LDMOS器件的性能研究
《功能材料与器件学报》2012年第2期178-182,共5页唐盼盼 王颖 
国家自然科学基金(No.60906038);中央高校基本科研业务费专项资金资助(No.GK2080260104)
研究了一种具有OB(Oxide By-passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真。通过仿真验证可知,该结构通过类超结(SJ)电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结...
关键词：SOI结构 OB结构 导通电阻 电荷补偿 
绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控
《物理学报》2011年第10期506-511,共6页王茺 杨宇 杨瑞东 李亮 韦冬 靳映霞 Bao Ji-Ming 
国家自然科学基金(批准号:10964016,10990103);教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207);云南大学理工基金(批准号:2009E27Q)资助的课题~~
对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试.在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线.通过对比在同等光...
关键词：SOI结构 自离子注入 W线 近红外发光器件 
浮栅结构SOILDMOS器件的模拟研究被引量：1
《半导体技术》2011年第2期108-111,123,共5页葛梅 王颖 
国家自然科学资金资助项目(60906048);黑龙江省自然科学资金资助项目(QC2009C66)
研究了一种具有浮栅结构的SOI LDMOS(FGSOI LDMOS)器件模型,并分析了该结构的耐压机理,通过Silvaco TCAD软件对该结构进行仿真优化。通过仿真验证可知,该结构通过类场板的结终端技术可以调节器件的横向电场,从而得到比普通SOI LDMOS器...
关键词：SOI结构 浮栅结构 电场调制 比导通电阻 击穿电压 
基于SOI结构的1×8阵列上下载微环滤波器被引量：4
《光电子．激光》2010年第8期1125-1128,共4页王世君 黄永箴 
国家自然科学基金资助项目(60777028,60723002,60838003);国家重点基础研究计划资助项目(2006CB302804)
利用193 nm深紫外曝光的方法应用CMOS技术,在SOI片上加工制作了1×8阵列上下载微环滤波器,微环半径分别为21.0、20.5、20.0和19.5μm。通过测量直通端的透射光谱,在1 540～1 560 nm的波段上观测到微环阵列谐振波长的透射谱凹陷,对应的...
关键词：SOI 1×8阵列上下载微环滤波器 消光比 自由谱宽 
硅基肖特基势垒红外光学探测器
《红外》2008年第7期36-36,共1页高编 
本发明提供一种硅基肖特基势垒红外光学探测器，更具体地说，是一种暗电流足够低、能够在室温下有效工作的平面型波导基红外光学探测器。这种探测器是这样制作的：在一个“绝缘体上硅”（SOI）结构的平面硅波导层（也称SOI层）上配置一...
关键词：光学探测器 肖特基势垒 红外 硅基 SOI结构 绝缘体上硅 平面型 硅化物 
耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制被引量：4
《微纳电子技术》2007年第7期172-173,182,共3页李新 庞世信 徐开先 孙承松 
如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器，一直备受关注。在SIMOX技术SOI晶圆的基础上，设计了压力敏感芯片结构，并基于MEMS工艺制作了芯片。电桥采用1mA恒流源供电，在300℃下，满量程输出≥180mV，灵敏度为30-40mV/（mA.MPa...
关键词：高温 SOI结构 压力敏感芯片 
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