守得云开,FD-SOI工艺迎来爆发期  

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出  处:《今日电子》2016年第4期24-24,共1页Electronic Products

摘  要:FD-SOI(全耗尽绝缘硅)是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层(BOX)上再生长一层超薄的单晶硅层来实现的。由于采用超薄硅层,所以不需要沟道掺杂,使晶体管得以全耗尽。此外,薄氧化埋层使得基底偏压功能可以满足功耗/性能以及成本要求。相比传统的硅CMOS(bulk COMS)工艺技术来说,FD-SOI结构可以很好地解决晶体管大规模集成到一定数量后的漏电问题,从而进一步推进摩尔定律发展。

关 键 词:SOI工艺 绝缘硅片 爆发 大规模集成 SOI结构 晶体管 沟道掺杂 摩尔定律 

分 类 号:TN304.12[电子电信—物理电子学]

 

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