基于Silvaco Atlas的SOI器件性能仿真研究  

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作  者:黄玮[1] 杨月霞[1] 林慧敏[1] 

机构地区:[1]江苏信息职业技术学院

出  处:《电子制作》2017年第12期26-27,共2页Practical Electronics

基  金:江苏高校品牌专业建设工程资助项目;项目编号ppzy B190

摘  要:本文主要针对SOI器件结构展开研究,对于SOIMOS器件的结果和特性进行分析,讨论,并利用SILVACO TCAD软件来对SOI的器件结构与性能进行仿真,与研究分析结果进行比对,可以看出SOI器件能够有效改善MOS器件的阈值和亚阈值特性。

关 键 词:Silvaco ATLAS SOI结构 SOIMOS器件 

分 类 号:TN386[电子电信—物理电子学]

 

参考文献:

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引证文献:

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