SOIMOS器件

作品数：6被引量：4H指数：1
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基于Silvaco Atlas的SOI器件性能仿真研究
《电子制作》2017年第12期26-27,共2页黄玮 杨月霞 林慧敏 
江苏高校品牌专业建设工程资助项目;项目编号ppzy B190
本文主要针对SOI器件结构展开研究,对于SOIMOS器件的结果和特性进行分析,讨论,并利用SILVACO TCAD软件来对SOI的器件结构与性能进行仿真,与研究分析结果进行比对,可以看出SOI器件能够有效改善MOS器件的阈值和亚阈值特性。
关键词：Silvaco ATLAS SOI结构 SOIMOS器件 
深亚微米PD和FD SOIMOS器件热载流子损伤的研究
《微电子学》2003年第5期377-379,共3页颜志英 
浙江省教育厅科研计划项目
　研究了深亚微米PD和FDSOIMOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分...
关键词：深亚微米器件 SOI MOSFET 热截流予效应 器件退化 热截流子效应 
深亚微米SOIMOS器件研究与设计被引量：2
《浙江工业大学学报》2002年第4期348-351,共4页颜志英 张斌 张敏霞 
利用自己设计的适合深亚微米SOIMOS器件模型及SPICE电路模拟程序 ,详细分析了小尺寸SOI器件的阈值电压、饱和漏电流、电导、跨导等与工艺参数的关系 ,通过大量的模拟、计算 ,我们提出了小尺寸FDSOIMOSFET的设计方案 ,并根据该方案研制...
关键词：SOIMOS器件 模拟 设计 深亚微米器件 
薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究
《电子器件》2002年第1期18-21,共4页冯耀兰 樊路加 宋安飞 施雪捷 张正璠 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号:6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目(批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4)
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 3...
关键词：绝缘体上硅 金属-氧化物-半导体 薄膜 积累型 高温特性 MOS器件 
高温薄膜SOIMOS器件硅膜厚度的设计考虑
《电子器件》1997年第4期21-24,共4页冯耀兰 
国家自然科学基金
根据薄膜ＳＯＩＭＯＳ器件的特点和高温应用的特殊考虑，采用计算机模拟技术，得出最大耗尽层宽度ｘｄｍａｘ和衬底掺杂浓度ＮＢ及温度Ｔ的关系曲线。研究结果表明，在常温下ｘｄｍａｘ随ＮＢ的增大而减小，当ＮＢ一定时，ｘｄｍａｘ随...
关键词：高温薄膜 SOI MOS 硅膜 薄膜电路 
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