薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究  

Study on High Temperature Characteristics of Thin Film Full Depletion Accumulation-Mode SOI MOS Devices In (27～300℃) Wide Temperature Range

作　　者：冯耀兰[1] 樊路加[1] 宋安飞[1] 施雪捷[1] 张正璠[2] 

机构地区：[1]东南大学微电子中心,南京210096 [2]信息产业部电子第24所,重庆400060

出　　处：《电子器件》2002年第1期18-21,共4页Chinese Journal of Electron Devices

基　　金：国家自然科学基金资助重点项目 (批准号:6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目(批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4)

摘　　要：本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )In this paper, Based on research of conduction mechanism and fundamental characteristics of p\++ p p\++ thin film full depletion accumulation mode SOI MOS devices, high temperature characteristics of experimental, Samples in (27～300℃) wide temperature range are studied. Research results obtained from theory and experiment show that the experimental samples with p\++ p p\++ structure have excellent high temperature characteristics in (27～300℃) wide temperature range.

关 键 词：绝缘体上硅 金属-氧化物-半导体 薄膜 积累型 高温特性 MOS器件 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]