樊路加

作品数：3被引量：5H指数：1
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供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
发文主题：阳极键合硅膜光纤信号光纤开关微机械更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
发文期刊：《电子器件》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
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单片集成MEMS中的阳极键合工艺被引量：1
《电子器件》2005年第4期743-746,共4页祁雪 黄庆安 秦明 张会珍 樊路加 
江苏省自然基金(BK2003052)的资助项目
分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响,并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法:对于玻璃在硅片上方的键合方式,通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度...
关键词：单片集成MEMS 阳极键合 
薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究
《电子器件》2002年第1期18-21,共4页冯耀兰 樊路加 宋安飞 施雪捷 张正璠 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号:6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目(批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4)
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 3...
关键词：绝缘体上硅 金属-氧化物-半导体 薄膜 积累型 高温特性 MOS器件 
宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法被引量：4
《固体电子学研究与进展》2001年第4期448-452,共5页冯耀兰 宋安飞 张海鹏 樊路加 
国家自然科学基金重点项目 (批准号 :6 9736 0 2 0 )
首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流...
关键词：宽温区 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 载流子迁移率 
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