深亚微米器件

作品数：24被引量：39H指数：4
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相关机构：北京大学西安电子科技大学中国科学院东南大学更多>>
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65nm COMS工艺SRAM重离子单粒子翻转机理研究
《中国原子能科学研究院年报》2012年第1期59-59,共1页蔡莉 高丽娟 史淑廷 范辉 刘建成 
正随着半导体工业的飞速发展,器件的特征尺寸及供电电压不断减小,导致器件发生单粒子效应所需的临界电荷越来越少,单粒子效应的危害越来越严重,新工艺对单粒子效应实验提出了新的挑战。为研究新型器件的单粒子效应,本实验开展了重离子...
关键词：单粒子效应 单粒子翻转截面 重离子 特征尺寸 超深亚微米器件 新工艺 临界电荷 实验研究 半导体工业 实验数据 
深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型被引量：5
《微电子学》2012年第2期250-254,共5页刘富财 蔡翔 罗俊 刘伦才 石建刚 
随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题。重点对近年来研究得到的深亚微米CMOS器件可靠性机理及...
关键词：深亚微米器件 CMOS 集成电路 可靠性机理 可靠性模型 
深亚微米器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响
《物理学报》2012年第5期92-96,共5页胡志远 刘张李 邵华 张正选 宁冰旭 毕大炜 陈明 邹世昌 
研究了180 nm互补金属氧化物半导体技术下的器件沟道长度对总剂量辐照效应的影响.在其他条件如辐照偏置、器件结构等不变的情况下,氧化层中的陷阱电荷决定了辐照响应.浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷使得寄生的侧壁沟道反型,从而形成大的...
关键词：总剂量效应 浅沟槽隔离 氧化层陷阱正电荷 金属氧化物半导体场效晶体管 
深亚微米器件中氧空位对栅漏电流的影响被引量：1
《微电子学》2011年第2期300-303,共4页李海霞 毛凌锋 查根龙 
国家自然科学基金资助项目(60606016)
描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在栅氧化层中随机变化时,引起的栅漏电流的变化是在一定值附近上下波动;栅漏电流随氧化层厚度的减小而增大,...
关键词：氧空位 栅漏电流 深亚微米器件 
超深亚微米器件总剂量辐射效应三维数值模拟被引量：7
《物理学报》2011年第5期538-544,共7页何宝平 丁李利 姚志斌 肖志刚 黄绍燕 王祖军 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:61354030101)资助的课题~~
本文分析了浅槽隔离(STI)结构辐射诱导电荷的分布情况,给出一种模拟超深亚微米器件总剂量辐射效应的新方法.研究结果表明,如果在栅附近沿着STI侧墙不加辐照缺陷,仿真出的0.18μm超深亚微米晶体管亚阈区I-V特性没有反常的隆起,并且能够...
关键词：总剂量 超陡倒掺杂 Halo掺杂 辐射效应 
深亚微米工艺下芯片的差分静态电流测试分析
《微电子学》2008年第5期633-636,共4页曹福全 石艳玲 陈哲 甘甜 温秀芝 刘婧 
上海市科委基金资助项目(04QMX1419,075007033)
在分析深亚微米工艺下芯片的差分静态电流(ΔIddq)测试原理的基础上,提出了一套深亚微米工艺下芯片的ΔIddq辅助测试解决方案。通过样本芯片,检验了ΔIddq测试方法的有效性;并根据检验结果,提出了Δ归一化的改进技术。经验证,这种优化...
关键词：差分静态电流测试 深亚微米器件 故障覆盖率 
超晶格沟道减小栅极漏电流
《现代材料动态》2007年第3期11-11,共1页邓志杰（摘译） 
掺铒光纤放大器（有助于宽带因特网）的发明者Meats发现一个有趣的现象：在Si中制作超晶格可在一个方向上增强电流而在另一方向上阻断电流，这是一种新的沟道“更新”工艺——在某些方面与应变Si工艺类似，是通过掺杂改变．Si的能带结...
关键词：泄漏电流 超晶格 沟道 深亚微米器件 掺铒光纤放大器 PMOS晶体管 NMOS晶体管 工程化方法 
华东师范大学微电子电路与系统研究所简介
《Journal of Semiconductors》2006年第9期F0003-F0003,共1页
华东师范大学微电子电路与系统研究所成立于2000年11月。研究所下设四个研究室．包括：专用集成电路设计、集成微机电系统（MEMS）、超深亚微米器件与工艺模拟、SoC系统集成及应用系统开发。主要进行专用集成电路设计、IP核设计、新型...
关键词：华东师范大学 微机电系统 微电子电路 用集成电路设计 应用系统开发 深亚微米器件 
单原子层沉积原理及其应用被引量：13
《电子工业专用设备》2005年第6期6-10,17,共6页吴宜勇 李邦盛 王春青 
传统的薄膜材料制造方法已不能满足未来元器件和集成电路制造的要求,原子层沉积技术由于具有精确的厚度控制、沉积厚度均匀性和一致性等特点,已成为解决微电子制造相关超薄膜材料制造问题的主要解决方法之一,也将成为新的纳米材料和纳...
关键词：单原子层沉积 深亚微米器件 理论和应用 
超深亚微米器件的失效机理及其可靠性研究
《电子质量》2005年第12期39-42,共4页侯志刚 许新新 张宪敏 于英霞 李惠军 
集成电路的集成度不断攀升,集成化器件的特征尺寸已进入超深亚微米层次。小尺寸制造进程、超微细结构及超低功耗的工作环境,使诸多寄生效应、小尺寸效应严重地影响着器件的性能、电路的寿命。本文论述了基于超深亚微米层次小尺寸效应的...
关键词：超大规模集成电路 特征尺寸 超深亚微米 小尺寸效应 失效 可靠性 
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