深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型  

An Overview of Reliability Mechanisms and Models of Deep Sub-Micron CMOS Device

作　　者：刘富财[1] 蔡翔[1] 罗俊[1,2] 刘伦才[1] 石建刚[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [2]西安电子科技大学微电子学院,西安710071

出　　处：《微电子学》2012年第2期250-254,共5页Microelectronics

摘　　要：随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题。重点对近年来研究得到的深亚微米CMOS器件可靠性机理及其可靠性模型进行了总结。As CMOS devices shrink into deep sub-micron size,negative bias temperature instability（NBTI）,time dependent dielectric breakdown（TDDB）,electromigration（EM） and HCI（hot carrier injection） become major reliability issues of CMOS IC＇s.Research and development of reliability mechanisms and models for CMOS devices in recent years were summarized in particular.

关 键 词：深亚微米器件 CMOS 集成电路 可靠性机理 可靠性模型 

分 类 号：TN406[电子电信—微电子学与固体电子学]