蔡翔

作品数：1被引量：5H指数：1
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深亚微米CMOS器件可靠性机理及模型被引量：5
《微电子学》2012年第2期250-254,共5页刘富财 蔡翔 罗俊 刘伦才 石建刚 
随着CMOS集成电路特征尺寸的不断缩小,特别是在其发展到深亚微米阶段之后,CMOS器件面临着负偏置温度的不稳定性、栅氧化层经时击穿、互连系统的电迁移和热载流子注入等可靠性问题。重点对近年来研究得到的深亚微米CMOS器件可靠性机理及...
关键词：深亚微米器件 CMOS 集成电路 可靠性机理 可靠性模型 
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