云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- NMOS晶体管

NMOS晶体管: 作品数：16被引量：15H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张正选雷牡敏张海英毛淑娟罗军更多>>; 相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司英特尔公司电子科技大学更多>>; 相关期刊：《电子学报》《电源世界》《科技创业》《中国集成电路》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金更多>>

NMOS晶体管电荷共享导致的SRAM单元单粒子翻转恢复效应研究: 《中国集成电路》2024年第6期48-55,共8页高珊李洋郝礼才赵强彭春雨蔺智挺吴秀龙; 国家自然科学基金(62274001);国家自然科学基金(62104002);安徽省省高校科研重点项目(2023AH040011);安徽省重点研发项目(2022a05020044);国家自然科学基金(62104001)。; 基于Synopsys公司的三维器件模拟软件TCAD,本文研究了NMOS晶体管电荷共享导致SRAM单元的单粒子翻转恢复(SEUR)效应。分析了NMOS晶体管电荷共享导致SEUR效应的物理机制,系统研究了NMOS晶体管偏置(如电源电压、P阱偏置电压)和工艺参数(如P...; 关键词：单粒子翻转恢复效应 SRAM 电荷共享工艺参数

用于光伏电力传输的CMOS集成电路的优化设计被引量：1: 《自动化应用》2024年第7期106-108,共3页李旭豪; 作为一种重要的可再生能源技术,光伏电力传输对于解决能源需求和降低环境污染具有重要意义。该技术的关键在于利用限流NMOS晶体管和额外的偏置电压来控制电路中的工作电流。优化设计光伏电力传输中的CMOS集成电路,通过调节偏置电压,灵...; 关键词：光伏电力传输 CMOS集成电路偏置电压限流NMOS晶体管可再生能源技术

NMOS晶体管的总剂量辐射效应仿真被引量：6: 《固体电子学研究与进展》2015年第2期187-190,201,共5页杨变霞李平刘洋; 分析了MOS晶体管总剂量辐射效应的理论模型,并在此基础上给出了主要作用机理的仿真方法,用Sentaurus TCAD器件仿真软件对不同栅氧厚度的NMOS晶体管辐射前后的电学特性进行了模拟仿真,通过对比研究不同辐射总剂量下NMOS晶体管的I-V特性曲...; 关键词：Sentaurus 总剂量辐射效应

应用材料公司发布高性能晶体管创新外延技术: 《中国集成电路》2013年第8期6-6,共1页; 应用材料公司在AppliedCenturaRPEpi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术，继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20nm节点时将外延沉积从PMOS（P型金属氧化物半导体）向NMOS（N型金属氧化物半...; 关键词：NMOS晶体管应用材料公司外延技术金属氧化物半导体创新性能芯片制造商 pi系统

应用材料公司发布高性能晶体管创新外延技术: 《科技创业》2013年第8期F0003-F0003,共1页; 应用材料公司在AppliedCentura@RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从PMOS（P型金属氧化物半导体）向NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管延伸的趋势，推动芯片制造商...; 关键词：NMOS晶体管应用材料公司外延技术金属氧化物半导体创新性能芯片制造商 pi系统

0.18μm窄沟NMOS晶体管总剂量效应研究被引量：3: 《物理学报》2013年第13期414-419,共6页吴雪陆妩王信席善斌郭旗李豫东; 模拟集成电路国家重点实验室(NLAIC)基金(批准号:9140C090402110C0906)资助的课题~~; 为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施,本文对0.18μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究.结果表明:和宽沟器件不同,阈值电压、跨导、漏源电导对总剂量辐照敏感,此现象被称之为辐射感生窄沟道效应;相比较栅...; 关键词：0 18μm 窄沟NMOS晶体管 60Coγ辐照辐射感生窄沟道效应

Influence of channel length and layout on TID for 0.18 μm NMOS transistors: 《Nuclear Science and Techniques》2013年第6期17-22,共6页WU Xue LU Wu WANG Xin GUO Qi HE Chengfa LI Yudong XI Shanbin SUN Jing WEN Lin; Supported by National Laboratory Analog Integrated Circuit Foundation(No.9140C090402110C0906); Different channel lengths and layouts on 0.18μm NMOS transistors are designed for investigating the dependence of short channel effects(SCEs)on the width of shallow trench isolation(STI)devices and designing in radia...; 关键词：NMOS晶体管沟道长度 TID 短沟道效应辐射诱发通道长度沟槽隔离特性曲线

NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电: 《上海航天》2013年第1期64-67,共4页楼建设宣明刘伟鑫吾勤之; 对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究。给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流-电压(I-V)特性曲线,并对试验现象进行了数值模拟分析。研究结果表明:NMOS晶体管的沟道边缘...; 关键词：NMOS晶体管电离辐射效应寄生漏电

Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管评估SOI材料抗总剂量辐射能力的比较: 《功能材料与器件学报》2010年第3期271-275,共5页毕大炜张正选张帅; 本文用辐射加固和未加固的SIMOX(注氧隔离)SOI(绝缘体上硅)材料制作了Pseudo-MOS晶体管和nMOS晶体管,并进行了X射线总剂量辐射实验。结果表明加固工艺能有效提高SIMOXSOI材料的抗总剂量辐射能力,同时也表明Pseudo-MOS晶体管能有效的替代...; 关键词：SIMOX SOI 总剂量辐射效应 Pseudo—MOS晶体管

SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与^(60) Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对: 《功能材料与器件学报》2007年第6期599-603,共5页田浩张正选张恩霞贺威俞文杰王茹; 利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及^(60)Coγ射线总剂量辐照实验。实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和。实...; 关键词：注氧隔离绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐射效应 MOS晶体管

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