超晶格沟道减小栅极漏电流  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2007年第3期11-11,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：掺铒光纤放大器（有助于宽带因特网）的发明者Meats发现一个有趣的现象：在Si中制作超晶格可在一个方向上增强电流而在另一方向上阻断电流，这是一种新的沟道“更新”工艺——在某些方面与应变Si工艺类似，是通过掺杂改变．Si的能带结构，此时水平方向电流（漏极电流）增大而垂直方向上电流（泄漏电流）减小了。这种再工程化的沟道减小栅（极泄）漏电流达60％（NMOS晶体管）和80％（PMOS晶体管），且仍保持甚至增强了各种深亚微米器件的驱动电流。该工艺正用于生产。随着蜂窝电话及其它个人电子器件数量的急剧增长，对器件提出了相互矛盾的要求：性能更好而功耗更小。工业界仍寄希望于Si的电学性质来解决这一矛盾。芯片制造商试图从Si中“压榨”出更好的性能，但Si及其本征氧化物成了限制性因素。某些性能提高了，但功耗问题仍然存在。采用新的Si工程化方法既可提高深亚微米（65nm、45nm及以后代）器件的功率效率又可提高其工作速度还能保持与CMOS制造设备兼容。

关 键 词：泄漏电流 超晶格 沟道 深亚微米器件 掺铒光纤放大器 PMOS晶体管 NMOS晶体管 工程化方法 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]