深亚微米PD和FD SOIMOS器件热载流子损伤的研究  

An Investigation into Hot-Carrier Effects in Deep Submicron SOI NMOSFET's

作　　者：颜志英[1] 

机构地区：[1]浙江工业大学信息学院,浙江杭州310032

出　　处：《微电子学》2003年第5期377-379,共3页Microelectronics

基　　金：浙江省教育厅科研计划项目

摘　　要：　研究了深亚微米PD和FDSOIMOS器件遭受热载流子效应(HCE)后引起的器件参数退化的主要差异及其特点,提出了相应的物理机制,以解释这种特性。测量了在不同应力条件下最大线性区跨导退化和阈值电压漂移,研究了应力Vg对HCE退化的影响,并分别预测了这两种器件的寿命,提出了10年寿命的0.3μm沟长的PD和FDSOIMOS器件所能承受的最大漏偏压。The hotcarrier effect (HCE) induced degradation in deep submicron fully depleted and partially depleted SOI MOSFET's are investigated in this paper For FD SOI MOSFET's, the degradation of main electrical parameters is different from that of the PD SOI MOSFET's, including variations of the maximum transconductance Gmmax and the threshold voltage Vth The lifetime of PD and FD SOI MOSFET's in the stress case of Vg=Vth is predicted

关 键 词：深亚微米器件 SOI MOSFET 热截流予效应 器件退化 热截流子效应 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]