平面型

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可见光催化的酰胺C(sp^(3))–H键的三氟甲硫基化及酰胺化反应
《中国科学:化学》2025年第3期542-544,共3页赵全庆 陈加荣 
将三氟甲硫基(SCF_(3))官能团引入有机分子骨架中可以有效改善化合物本身的生物学特性,因此,其在医药、农药、材料科学等领域有着广泛的应用.基于此,一系列有效构建含三氟甲硫基分子骨架的合成策略被相继报道.早期的合成研究主要集中在...
关键词：合成策略 芳香族化合物 分子骨架 可见光催化 酰胺化反应 甲硫基 三维立体 平面型 
侵入式平面型静电传感器结构设计与优化研究
《节能技术》2025年第1期71-76,共6页史鑫 赵鹏 王小华 李健 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB4102904)。
针对静电测速传感器结构、电极尺寸参数等因素影响检测电极感应信号,进而影响传感器灵敏度特性与颗粒流速测量精度的问题,本文以矩形结构流道内颗粒流速为测量对象,提出了一种侵入式平面型静电传感测速装置,分析了传感器结构与电极尺寸...
关键词：静电传感器 侵入式平面型电极 结构优化 速度测量 灵敏度 互相关距离 
平面型电磁屏蔽材料镀金属层附着性能测定方法的研究
《广东化工》2025年第4期4-6,共3页陈维斌 林学好 陈超婵 
上海市“科技创新行动计划”技术标准项目:新型电磁屏蔽材料的电磁特性参数技术标准研究(23DZ2201000)。
属于高性能复合材料的新型平面型电磁屏蔽复合材料以织物、塑料薄膜或金属箔作为基体,在基体上镀有金属涂层,具有柔韧性好、耐弯曲、厚度薄(轻量化)、电磁屏蔽效能好的特点,近年来被广泛地应用在各种领域。而金属镀层在织物、薄膜和铜...
关键词：电磁屏蔽材料 镀金属层 附着性能 测定方法 
用于SiC MOSFET短路保护的平面型差分罗氏线圈建模与设计方法
《电源学报》2025年第1期219-228,共10页李腾 辛振 石亚飞 薛聚 
国家自然科学基金青年基金资助项目(51907048)。
随着宽禁带器件的发展,SiCMOSFET得到广泛应用,对其短路保护的研究成为保障电力电子设备可靠性的重要课题。针对SiC MOSFET短路耐受时间短、短路故障难保护的问题,提出1种基于平面型差分罗氏线圈的SiC MOSFET短路检测方法。该方法通过...
关键词：SiC MOSFET 短路保护 平面型罗氏线圈 部分元等效电路建模 线圈设计 
平面型磷-32敷贴器的活度测量研究
《广东化工》2025年第4期46-48,共3页贾少青 王念 梁艳 巴伟伟 焦华洁 付轲新 高岩 刘超 张栋 张雪峰 
本研究目的是建立活度计直接测量平面型磷-32敷贴器活度的方法,为临床治疗瘢痕疙瘩、血管瘤等应用提供准确治疗依据。以磷[32P]酸钠盐口服溶液为原料,制备厚度0.5 mm、尺寸为1×1 cm、2×2 cm、4×4 cm的薄膜敷贴器,用CRC-55tR井型活度...
关键词：磷-32敷贴器 活度测量 活度计 液闪仪 
声音
《中外企业文化》2024年第12期79-79,共1页
看不起直播带货的企业家我永远不会做直播带货,我也看不起那些直播带货的企业家。因为我认为那些企业是平面型的,而我们这种企业是垂直型的。我有根,那些人没有根,你可以做更有价值的事情。我要求公司电商渠道销售收入占比不能超过5%,...
关键词：线下 垂直型 平面型 企业家 电商渠道 直播 公司 收入占比 
漏极结构对平面型纳米沟道真空三极管性能影响的模拟研究
《真空电子技术》2024年第6期47-53,共7页甘露 吴胜利 唐文华 李洁 
近年来基于纳米沟道的真空电子器件引起越来越多的关注,其中平面型纳米沟道真空三极管因采用平面工艺、制造过程相对简单且与微电子制造工艺兼容,表现出更好的发展潜力。基于器件源电极越尖锐,局部电场越强,越易实现电子发射,相关研究...
关键词：纳米沟道三极管 模拟仿真 场发射特性 圆弧型漏极 
平面型五唑非金属盐的合成及性质
《化学研究与应用》2024年第11期2560-2567,共8页王雨晴 李金勇 黄明 邹佳 石海川 杨海君 
国家自然科学基金项目(22075260)资助;四川省自然科学基金面上项目(2022NSFSC0288)资助。
以五唑钴、甲脒盐酸盐和偶氮二甲脒盐酸盐为原料,合成了甲脒五唑盐(1)和偶氮胍基脲五唑盐(2)。采用X-射线单晶衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、差式扫描量热(DSC)和热重(TG)等对其进行了分析表征。结果表明:化合物1具有...
关键词：含能离子盐 甲脒五唑盐 偶氮胍基脲五唑盐 晶体结构 
国家队加持,芯片制造关键技术首次突破
《变频器世界》2024年第9期34-34,共1页
据南京发布近日消息,国家第三代半导体技术创新中心(南京)历时4年自主研发,成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术,打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。据悉这是我国在这一领域的首次突破。公开资料显示,碳化硅是第三代...
关键词：临界击穿电场 芯片制造 平面型 沟槽结构 宽禁带 技术创新中心 平面结构 迁移速率 
1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制
《固体电子学研究与进展》2024年第3期F0003-F0003,共1页张跃 柏松 李士颜 陈谷然 黄润华 杨勇 
碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁...
关键词：宽禁带半导体材料 MOSFET器件 导通电阻 迁移率 平面型 功率器件 沟道密度 新能源汽车 
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