1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制  

Fabrication of 1200 V SiC Trench MOSFET

作　　者：张跃 柏松[1] 李士颜 陈谷然[1] 黄润华[1] 杨勇 ZHANG Yue;BAI Song;LI Shiyan;CHEN Guran;HUANG Runhua;YANG Yong(State Key Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Devices and Integrated Technology,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN)

机构地区：[1]宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2024年第3期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁移率和较大的元胞尺寸,难以充分发挥SiC器件的材料优势,后者将导电沟道由横向改为纵向,既明显改善了沟道迁移率,又大幅提升了沟道密度,使得器件导通电阻显著降低,代表着SiCMOSFET的未来发展方向。

关 键 词：宽禁带半导体材料 MOSFET器件 导通电阻 迁移率 平面型 功率器件 沟道密度 新能源汽车 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]