葛梅

作品数：1被引量：1H指数：1
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供职机构：哈尔滨工程大学信息与通信工程学院更多>>
发文主题：MOS器件SOI结构比导通电阻击穿电压更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金黑龙江省自然科学基金更多>>
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浮栅结构SOILDMOS器件的模拟研究被引量：1
《半导体技术》2011年第2期108-111,123,共5页葛梅 王颖 
国家自然科学资金资助项目(60906048);黑龙江省自然科学资金资助项目(QC2009C66)
研究了一种具有浮栅结构的SOI LDMOS(FGSOI LDMOS)器件模型,并分析了该结构的耐压机理,通过Silvaco TCAD软件对该结构进行仿真优化。通过仿真验证可知,该结构通过类场板的结终端技术可以调节器件的横向电场,从而得到比普通SOI LDMOS器...
关键词：SOI结构 浮栅结构 电场调制 比导通电阻 击穿电压 
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