Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究  

Grow th of Si1┐x┐y Gex Cy Ternary Alloy on Si By Chem ical Vapor Deposition

作　　者：江宁[1] 臧岚[1] 江若琏[1] 朱顺明[1] 刘夏冰[1] 程雪梅[1] 韩平[1] 王荣华[1] 胡晓宁[2] 方家熊[2] 

机构地区：[1]南京大学物理系,南京210093 [2]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第8期650-655,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式 Ｃ 含量的 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜材料，较低的生长温度和较高的 Ｓｉ Ｈ４ ／ Ｃ２ Ｈ４ 流量比有助于提高代位式 Ｃ 含量和薄膜材料的晶体质量。W e report the results on the grow th of Si1 x y Gex Cy ternary alloy on Sisubstrateby rapid therm alchem icalvapor deposition( R T C V D) using C2 H4 as C source. The Ram anspectrum and Fourier transform infrared spectroscopy m easurem ents show that w e havesuccessfully grow n Si1 x y Gex Cy thin film in w hich a part of carbon atom s incorporate intothe substitutionalsites,low er tem perature and higher Si H4/ C2 H4 ratio are helpfulto formthe substitutional C and im prove the crystalquality. A possible m echanism for C incorpo ration in Si1 x y Gex Cy layer grow n by R T C V D using C2 H4 is proposed.

关 键 词：硅 三元合金薄膜 化学气相淀积 

分 类 号：TN304.052[电子电信—物理电子学] TN304.12