王荣华

作品数：24被引量：11H指数：2
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：化学气相淀积CVDX合金薄膜SI更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子学报》《稀有金属》《光电子．激光》更多>>
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Si_(1-x)Ge_x:C缓冲层的生长温度对Ge薄膜外延生长的影响
《中国激光》2009年第5期1205-1208,共4页葛瑞萍 韩平 吴军 王荣华 俞斐 赵红 俞慧强 谢自力 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(60721063);国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004)资助课题
用化学气相淀积方法,在Si(100)衬底上生长Si1-xGex:C合金作为缓冲层、继而外延生长了Ge晶体薄膜,用X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)、拉曼(Raman)衍射光谱等对所得到的样品进行了表征测量,着重研究了Si1-xGex:C缓冲层生长温度对样品...
关键词：Ge薄膜 Si1-xGex:C缓冲层 化学气相淀积 生长温度 
AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延
《中国激光》2009年第5期1209-1213,共5页吴军 王荣华 韩平 葛瑞萍 梅琴 俞斐 赵红 谢自力 张荣 郑有炓 
国家973计划(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);国家自然科学基金(60721063)资助课题
利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。XRD测量结果显示得到...
关键词：化学气相淀积 4H—SiC薄膜 AlN/Si(111)复合衬底 异质外延 阴极荧光 
4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性
《半导体技术》2008年第S1期290-293,共4页俞斐 吴军 韩平 王荣华 葛瑞萍 赵红 俞慧强 谢自力 徐现刚 陈秀芳 张荣 郑有炓 
用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶...
关键词：化学气相淀积 4H-Si1-yCy合金 电化学腐蚀电容电压 载流子浓度分布 
AlN/Si(111)衬底上4H-SiC的CVD外延生长研究
《半导体技术》2008年第S1期262-265,共4页吴军 王荣华 韩平 梅琴 刘斌 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 
国家自然科学基金(60721063);高等学校博士学科点专项基金(20050284004)
利用CVD的方法在Al N/Si(111)衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、喇曼散射(Raman scattering)对所得样品的结构特征、表面形貌等进行了表征测量。XRD测量结果显示得到的SiC...
关键词：AlN/Si(111)衬底 4H-SiC薄膜 异质外延 碳硅比 
生长参数对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜中元素分布的影响
《真空科学与技术学报》2008年第S1期52-55,共4页梅琴 韩平 王荣华 吴军 夏冬梅 葛瑞萍 赵红 谢自力 修向前 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过能量色散谱仪(EDS)和扫描电子显微镜(SEM)对合金薄膜的元素深度分布和表面形貌进行了表征,分析研究了外延层的生长温度、生长时间对Si1-xGex∶C合...
关键词：Si1-xGex∶C合金薄膜 扩散 能量色散谱仪 化学气相淀积 
GaN/Al_2O_3(0001)上Ge薄膜的CVD外延生长
《真空科学与技术学报》2008年第S1期9-12,共4页王荣华 韩平 曹亮 梅琴 吴军 葛瑞萍 谢自力 陈鹏 陆海 顾书林 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(No.2006CB604900);国家高技术研究发展规划(No.2006AA03A103;2006AA03A142);国家自然科学基金(No.60421003);高等学校博士学科点专项科研基金(No.20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(No.9140C1404010605)
本工作采用化学气相淀积方法,以GeH4为反应气源,以InN/GaN/Al2O3(0001)复合衬底作陪片,在GaN/Al2O3(0001)复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨。研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光...
关键词：化学气相淀积 Ge薄膜 GAN 金属In 
用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长
《稀有金属》2007年第S2期13-16,共4页王琦 王荣华 夏冬梅 郑有炓 韩平 谢自力 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的SiC薄层,在此...
关键词：碳化 SIC 应变SI 
生长温度对Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶C合金薄膜性质的影响
《稀有金属》2007年第S2期21-24,共4页夏冬梅 王荣华 王琦 韩平 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长...
关键词：化学气相淀积 Si1-xGex∶C合金薄膜 生长温度 
Si<sub>1-y</sub>C<sub>y</sub>合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
《稀有金属》2007年第S2期5-8,共4页王荣华 韩平 王琦 夏冬梅 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...
关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模 
Si_(1-y)C_y合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化
《稀有金属》2007年第z1期5-8,共4页王荣华 韩平 王琦 夏冬梅 谢自力 张荣 
国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605)
用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...
关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模 
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