生长温度对Si_1-xGe_x∶C合金薄膜性质的影响  

作　　者：夏冬梅[1] 王荣华[1] 王琦[1] 韩平[1] 谢自力[1] 张荣[1] 

机构地区：[1]南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《稀有金属》2007年第S2期21-24,共4页Chinese Journal of Rare Metals

基　　金：国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605)

摘　　要：用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长温度均为750℃时可以获得质量较高、组分均匀的Si1-xGex∶C合金薄膜。本文通过对材料结构及表面形貌的分析研究了缓冲层和外延层的生长温度对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响。

关 键 词：化学气相淀积 Si1-xGex∶C合金薄膜 生长温度 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学]