云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 王琦

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用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长: 《稀有金属》2007年第S2期13-16,共4页王琦王荣华夏冬梅郑有炓韩平谢自力; 国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SiC外延层和应变Si薄膜。结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的SiC薄层,在此...; 关键词：碳化 SIC 应变SI

生长温度对Si1-xGex∶C合金薄膜性质的影响: 《稀有金属》2007年第S2期21-24,共4页夏冬梅王荣华王琦韩平谢自力张荣; 国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605); 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长...; 关键词：化学气相淀积 Si1-xGex∶C合金薄膜生长温度

Si1-yCy合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化: 《稀有金属》2007年第S2期5-8,共4页王荣华韩平王琦夏冬梅谢自力张荣; 国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...; 关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模

Si_(1-y)C_y合金薄膜中替位式C组分随生长温度的变化: 《稀有金属》2007年第z1期5-8,共4页王荣华韩平王琦夏冬梅谢自力张荣; 国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604900);国家高技术研究发展规划基金(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 用化学气相淀积方法,以乙烯为碳源、硅烷为硅源,在Si(100)衬底上外延生长了替位式C组分达1.22%的Si1-yCy合金薄膜,研究表明:处于替位式格点位置的C原子与Si原子成键,形成Si-C局域振动模;随着生长温度的降低,更多具有较低迁移率的C原子...; 关键词：化学气相淀积 Si1-yCy合金薄膜 Si-C局域振动模

用于应变Si外延薄膜的SiC缓冲层的生长: 《稀有金属》2007年第z1期13-16,共4页王琦王荣华夏冬梅郑有炓韩平谢自力; 国家重点基础研究发展规划(2006CB604900);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(9140C1404010605); 用化学气相沉积方法对Si(111)衬底进行碳化处理,继而生长SjC外延层和应变Si薄膜.结果表明:随着碳化温度的降低,SiC薄层与Si衬底界面处的空洞有逐渐变小的趋势;在1100℃进行碳化处理可以有效减少界面处的空洞,得到较平整的sic薄层,在此...; 关键词：碳化 SIC 应变SI

生长温度对Si_(1-x)Ge_x∶C合金薄膜性质的影响: 《稀有金属》2007年第z1期21-24,共4页夏冬梅王荣华王琦韩平谢自力张荣; 国家重点基础研究发展规划基金(2006CB604907);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);2006年度国防科重点实验室基金(9140C1404010605); 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上制备Si缓冲层,继而外延生长Ge组分渐变的Si1-xGex∶C合金薄膜。研究表明,较低的Si缓冲层或Si1-xGex∶C外延层生长温度均不利于获得理想的Si1-xGex∶C合金薄膜,仅在Si缓冲层和Si1-xGex∶C外延层的生长...; 关键词：化学气相淀积 Si1-xCex:C合金薄膜生长温度

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期111-114,共4页夏冬梅王荣华王琦韩平梅琴陈刚谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142),国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目; 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGe...; 关键词：化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层载流子

应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期130-132,共3页王琦王荣华夏冬梅郑有炓韩平俞慧强梅琴谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142).国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目; 用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具...; 关键词：应变SI SIC 化学气相沉积霍尔迁移率

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