Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布  

Carriers Distribution of Si1-xGex:C Buffers Grown on Si(100) by Chemical Vapor Deposition

作　　者：夏冬梅[1] 王荣华[1] 王琦[1] 韩平[1] 梅琴[1] 陈刚[1,2] 谢自力[1] 修向前[1] 朱顺明[1] 顾书林[1] 施毅[1] 张荣[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093 [2]南京电子器件研究所重点实验室,南京210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期111-114,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142),国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目

摘　　要：用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究.

关 键 词：化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 载流子 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]