云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 施毅

施毅: 作品数：15被引量：32H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：南京大学更多>>; 发文主题：衬底蓝宝石氢化物气相外延生长温度氮化镓更多>>; 发文领域：电子电信一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>; 发文期刊：《实用老年医学》《高技术通讯》《中国呼吸与危重监护杂志》《发光学报》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金更多>>

老年肺癌病人化疗期间院内肺部感染危险因素的病例对照研究被引量：11: 《实用老年医学》2022年第9期916-919,共4页施斌王瑞韩寒王小雨王丽芳刘星施毅; 宿迁市科技计划支撑项目(S201621)。; 目的探讨老年肺癌病人化疗期间发生院内肺部感染的危险因素。方法应用病例对照研究的方法,收集2016年7月至2019年12月徐州医科大学附属宿迁医院呼吸与危重症医学科化疗期间发生院内肺部感染的98例老年肺癌病人为病例组,同期按相同肺癌...; 关键词：老年人肺癌化疗肺部感染危险因素

流感相关侵袭性肺曲霉病的早期诊断被引量：3: 《中国呼吸与危重监护杂志》2021年第7期516-521,共6页沈焜路王玉顾彧刘寅施毅苏欣; 国家自然科学基金面上项目(82070011)。; 侵袭性肺曲霉病(IPA)常发生于粒细胞缺乏症等严重免疫缺陷患者[1],在入住重症加强治疗病房(ICU)的非严重免疫缺陷患者中,IPA病例也在不断增加[2]。发生IPA的高危人群也在不断扩大,已从"传统因素"(如接受同种异体干细胞移植,血液系统恶...; 关键词：粒细胞缺乏症侵袭性肺曲霉病血液系统恶性肿瘤免疫缺陷患者重症加强治疗病房慢性阻塞性肺疾病早期诊断高危人群

医疗机构工作人员新型冠状病毒疫苗应急接种专家共识被引量：8: 《中华实验和临床感染病杂志（电子版）》2020年第6期441-446,共6页向天新刘洋程娜俞云松蒋荣猛索瑶施毅张泓谢宝松周荣孙运波王伟熊滨赵鸣雁孟庆兰甘桂芬李培杰石荔吴文娟于湘友高占成林锋佟飞周玮唐中建郭述良王永杰章志丹王崇刚杨帆梁宗安叶贤伟张伟; 江西省科技厅重点研发科技攻关项目(No.2020YBBGW0002)。; 新型冠状病毒肺炎(新冠肺炎)疫情波及全球,医疗机构作为疫情防控的主战场,承担着医疗救治的责任和医院感染防控的压力,故对医疗机构工作人员进行疫苗接种具有重要意义。结合当前国内疫情形势和防控工作需要,为确保我国新型冠状病毒疫苗...; 关键词：新型冠状病毒肺炎疫苗接种风险评估专家共识

Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期111-114,共4页夏冬梅王荣华王琦韩平梅琴陈刚谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142),国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目; 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGe...; 关键词：化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层载流子

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长: 《中国科学（A辑）》2002年第10期895-899,共5页毕朝霞张荣李卫平王栩生顾书林沈波施毅刘治国郑有炓; 国家重点基础研究规划(批准号:G20000683);国家杰出青年研究基金(批准号:60025411);国家自然科学基金(批准号:69976014;69636010;69806006;69987001);国家高技术研究计划(批准号:2001AA311110)资助项目; 利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的（111）...; 关键词：ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底制备 GAN薄膜 MOCVD X射线衍射谱半导体材料两步生长工艺氮化钙

额外HCl对HVPE生长GaN性质的影响: 《固体电子学研究与进展》2002年第4期395-398,共4页修向前张荣卢佃清顾书林沈波施毅郑有炓; 利用氢化物气相外延 (HVPE)生长系统 ,提出并采用在生长区添加额外 HCl的方法改变 Ga N的极化生长方向获得 Ga面极化具有平滑表面的 Ga N生长技术。该法将一定量的 HCl添加到传统 HVPE生长方法中的总氮气流中 ,引入 Ga Cl和 NH3混合生长...; 关键词：氢化物气相外延湿化学法腐蚀氮化镓极性

载气流量对HVPE外延生长GaN膜光学性质的影响被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2002年第4期385-390,共6页卢佃清张荣修向前李杰顾书林沈波施毅郑有炓; 国家重点基础研究规划 (973 )项目 G2 0 0 0 0 683;国家杰出青年研究基金 (60 0 2 5 411);国家自然科学基金 (6980 60 0 6;699760 14 ;6963 60 10和 699870 0 1) ;国家"863"计划和江苏省高技术研究计划 (BG2 0 0 10 0 1); 研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对预反应的强弱有很大影响 ,外延膜的质量和生长速度对载气流量...; 关键词：氢化物所相外延氮化镓 X射线衍射谱光致发光谱载气流量

金属-铁电体-GaN结构研究被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2002年第1期30-33,共4页毕朝霞张荣李卫平殷江沈波周玉刚陈鹏陈志忠顾书林施毅刘治国郑有炓; 国家重点基础研究规划项目(G2 0 0 0 0 683 );国家杰出青年研究基金 (60 0 2 5 411);国家自然科学基金 (699760 14 ;6963 60 10 ;6980 60 0 6;699870 0 1);国家"八六三"高技术研究计划资助项目~~; 以铁电体 Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7) O3取代传统绝缘栅氧化物制备了 Ga N基金属 -绝缘层 -半导体 (MIS)结构 .由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数 ,Ga N基金属 -铁电体 -半导体 (MFS)结构的电容 -电压特性与其他 Ga N基MIS结构相比较...; 关键词：半导体氮化镓铁电体金属

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2001年第8期1025-1029,共5页毕朝霞张荣李卫平殷江沈波周玉刚陈鹏陈志忠顾书林施毅刘治国郑有炓; 国家重点基础研究规划 ( G2 0 0 0 0 6 83);国家杰出青年研究基金 ( 6 0 0 2 5 4 1 1 );国家自然科学基金 ( 6 9976 0 1 4 ;6 96 36; 研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复...; 关键词：X射线衍射衬底 MOCVD 晶体生长氮化镓半导体材料

Pb(Zr0.53Ti0.47)O3/AlxGa1-xN/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1: 《发光学报》2001年第S1期57-60,共4页沈波李卫平周玉刚毕朝霞张荣郑泽伟刘杰周慧梅施毅刘治国郑有炓 Someya T Arakawa Y; 国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~; 通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属铁电半导体 (MFS)结构。在高频电容电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...; 关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN

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