李卫平

作品数：7被引量：4H指数：1
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发文主题：GAN氮化镓铁电体MOCVDC-V特性更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《高技术通讯》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
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ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长
《中国科学（A辑）》2002年第10期895-899,共5页毕朝霞 张荣 李卫平 王栩生 顾书林 沈波 施毅 刘治国 郑有炓 
国家重点基础研究规划(批准号:G20000683);国家杰出青年研究基金(批准号:60025411);国家自然科学基金(批准号:69976014;69636010;69806006;69987001);国家高技术研究计划(批准号:2001AA311110)资助项目
利用脉冲激光淀积法（PLD）在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜,通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-A2O3衬底.X射线衍射谱（XRD）表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一（111）取向转变为多晶取向,然后变为不完全的 （111）...
关键词：ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底 制备 GAN薄膜 MOCVD X射线衍射谱 半导体材料 两步生长工艺 氮化钙 
Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究
《高技术通讯》2002年第3期47-49,共3页汪峰 张荣 陈志忠 朱健民 顾书林 沈波 李卫平 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究专项(G20000683);国家杰出青年科学研究基金(60025411);国家自然科学基金(69976014,69636010,69806006,69987001);863计划(863307123(05),8637150010220,8637150110031)资助项目
用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横...
关键词：微结构和光学性质 HVPE横向外延GaN Si(III)衬底 
金属-铁电体-GaN结构研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》2002年第1期30-33,共4页毕朝霞 张荣 李卫平 殷江 沈波 周玉刚 陈鹏 陈志忠 顾书林 施毅 刘治国 郑有炓 
国家重点基础研究规划项目(G2 0 0 0 0 683 );国家杰出青年研究基金 (60 0 2 5 411);国家自然科学基金 (699760 14 ;6963 60 10 ;6980 60 0 6;699870 0 1);国家"八六三"高技术研究计划资助项目~~
以铁电体 Pb(Zr0 .53Ti0 .4 7) O3取代传统绝缘栅氧化物制备了 Ga N基金属 -绝缘层 -半导体 (MIS)结构 .由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数 ,Ga N基金属 -铁电体 -半导体 (MFS)结构的电容 -电压特性与其他 Ga N基MIS结构相比较...
关键词：半导体 氮化镓 铁电体 金属 
ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1025-1029,共5页毕朝霞 张荣 李卫平 殷江 沈波 周玉刚 陈鹏 陈志忠 顾书林 施毅 刘治国 郑有炓 
国家重点基础研究规划 ( G2 0 0 0 0 6 83);国家杰出青年研究基金 ( 6 0 0 2 5 4 1 1 );国家自然科学基金 ( 6 9976 0 1 4 ;6 96 36
研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复...
关键词：X射线衍射 衬底 MOCVD 晶体生长 氮化镓 半导体材料 
Pb(Zr<sub>0.53</sub>Ti<sub>0.47</sub>)O<sub>3</sub>/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1
《发光学报》2001年第S1期57-60,共4页沈波 李卫平 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...
关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN 
Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
《发光学报》2001年第z1期57-60,共4页沈波 李卫平 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...
关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN 
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
《高技术通讯》2000年第8期34-36,共3页周玉刚 李卫平 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 
863计划;国家自然科学基金资助项目
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对...
关键词：ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应 光加热 
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