刘杰

作品数：12被引量：18H指数：2
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发文主题：XGAXGAN分布式光纤异质结更多>>
发文领域：电子电信经济管理建筑科学理学更多>>
发文期刊：《发光学报》《物理学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究
《Journal of Semiconductors》2003年第8期822-826,共5页刘杰 沈波 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究专项基金 (No .G2 0 0 0 0 683 );国家自然科学基金(批准号 :60 13 60 2 0 ;60 2 760 3 1);国家高科技发展计划 (No .2 0 0 2AA3 0 5 3 0 4)资助项目~~
通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容 电压 (C V)特性 ,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究 .结果发现在小偏压下 ,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降 ,说明势垒层中存在表面态 .实验数据...
关键词：Ⅲ族氮化物 调制掺杂异质结构 势垒层 表面态 
高响应度GaN紫外探测器被引量：3
《半导体光电》2003年第3期172-173,177,共3页沙金 江若琏 周建军 刘杰 沈波 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究规划项目(G20000683);国家自然科学基金(60276031;60136020)
采用MOCVD方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层。以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M)光导型GaN探测器。该探测器的光谱响应表明:器件在330～360nm内有高的灵敏度,并且在360nm附近有陡峭的截止边,对可见光和近红...
关键词：GAN 光电探测器 响应度 
调制掺杂AlGaN/GaN异质结上的Pt肖特基接触
《固体电子学研究与进展》2002年第4期381-384,共4页刘杰 沈波 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅 郑有炓 
研究了调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基接触的制备工艺 ,并对其进行了 I-V测量。通过改变对样品表面的处理工艺 ,研究了表面处理对调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基结接触特性的影响 ,在 n型掺杂浓度为 7.5× 1 0 1 ...
关键词：调制掺杂 ALGAN/GAN异质结 肖特基接触 表面处理 
金属/n型AlGaN欧姆接触被引量：11
《Journal of Semiconductors》2002年第2期153-156,共4页周慧梅 沈波 周玉刚 刘杰 郑泽伟 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 曹春海 焦刚 陈堂胜 
国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 683 );国家自然科学基金(6980 60 0 6;699760 14及 699870 0 1);国家高科技发展计划资助课题~~
用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测得欧姆接触电阻率达 1.6× 10 - 4Ω· cm2 .经 X射线衍射分析 ,Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面固相反应...
关键词：Ⅲ族氮化物 欧姆接触 界面固相反应 金属 
肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气被引量：2
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1420-1424,共5页周玉刚 沈波 刘杰 俞慧强 周慧梅 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究专项基金 ( G2 0 0 0 0 6 83);国家自然科学基金 ( 6 980 6 0 0 6 ;6 9976 0 14及 6 99870 0 1);国家"八六三"高技术研究发展计划基金资助~~
通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面...
关键词：异质结 肖特基C-V法 二维电子气 半导体材料 
Pb(Zr<sub>0.53</sub>Ti<sub>0.47</sub>)O<sub>3</sub>/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结构的电容-电压特征（英文）被引量：1
《发光学报》2001年第S1期57-60,共4页沈波 李卫平 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...
关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN 
电容-电压法研究Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结压电极化效应（英文）
《发光学报》2001年第S1期61-66,共6页俞慧强 沈波 周玉刚 张荣 刘杰 周慧梅 施毅 郑有炓 Someya T Arakawa Y 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 41和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究课题专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
制备了基于调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结的Pt/Al0 2 2 Ga0 78N/GaN肖特基二极管。由于Al0 2 2Ga0 78N势垒层中的极化场不同 ,不同Al0 2 2 Ga0 78N势垒层厚度的二极管的电容 电压特性显著不同。根据对样品电容 电压特性的...
关键词：压电极化 异质结 电容电压方法 
Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N/GaN异质结二维电子气磁输运性质研究（英文）
《发光学报》2001年第S1期67-70,共4页郑泽伟 沈波 刘杰 周慧梅 钱悦 张荣 施毅 郑有炓 蒋春萍 郭少令 郑国珍 褚君浩 Someya T Arakawa Y 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家高技术研究和发展计划项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
在 1 5K低温和 0～ 9T的高磁场下研究了AlGaG/GaN异质结二维电子气的磁输运性质。实验结果在 4块样品中都观察到了Shubnikov daHass振荡的双周期行为。表明异质结的三角势阱中有两个子带被电子占据。通过电子子带占据时电子浓度分配的...
关键词：磁传输特性 二维电子气 AlxG1-xN/GaN 
用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷
《物理学报》2001年第9期1774-1778,共5页周玉刚 沈波 刘杰 周慧梅 俞慧强 张荣 施毅 郑有炓 
国家重点基础研究专项 (批准号 :G2 0 0 0 0 6 83) ;国家自然科学基金 (批准号 :6 980 6 0 0 6 ;6 9976 0 14及 6 99870 0 1) ;国家
研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 ...
关键词：AlxGa1-xN/GaN异质结 极化电荷 肖特基电容-电压特性 数值模拟 三维费米模型 场效应晶体管 调制掺杂 
Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3/Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构的电容-电压特征(英文)
《发光学报》2001年第z1期57-60,共4页沈波 李卫平 周玉刚 毕朝霞 张荣 郑泽伟 刘杰 周慧梅 施毅 刘治国 郑有炓 Someya T Arakawa Y 
国家自然科学基金资助项目 ( 6 980 6 0 0 6 ,6 9976 0 14和 6 99870 0 1) ;国家重点基础研究项目专项支持 (G2 0 0 0 0 6 83) ;国家高技术研究和发展项目;日本科学促进协会前沿研究项目 (JSPS RFTF96P0 0 2 0 1)~~
通过在调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结构上淀积Pb(Zr0 53 Ti0 4 7)O3 (PZT)铁电薄膜 ,我们发展了一种基于AlxGa1-xN/GaN异质结构的金属 铁电 半导体 (MFS)结构。在高频电容 电压 (C V)特性测量中 ,发现Al0 2 2 Ga0 78N/GaN...
关键词：C-V特性 Pb(ZrTi)O3 铁电薄膜 ALXGA1-XN/GAN 
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