调制掺杂

作品数：59被引量：56H指数：4
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相关机构：中国科学院西安电子科技大学清华大学南京电子器件研究所更多>>
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6 GHz~18 GHz中功率放大器芯片的设计与实现
《现代雷达》2024年第11期105-109,共5页李鑫 肖曼琳 蒋明 杜鑫威 
设计并实现了一款高性能的宽带中功率放大器芯片,该芯片采用0.25μm砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺,并通过运用共源共栅电路结构,显著提升了放大器的增益水平。同时,引入负反馈技术,有效改善了增益的平坦度,极大地拓宽了放大...
关键词：Ku波段 中功率放大器 砷化镓赝调制掺杂异质结场效应晶体管工艺 共源共栅 单片微波集成电路 
P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器被引量：5
《中国激光》2021年第16期1-7,共7页姚中辉 陈红梅 王拓 蒋成 张子旸 
江西省应用研究培育计划资助项目(20181BBE58020)。
1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点...
关键词：激光器 量子点 p型调制掺杂 分子束外延 腔面镀膜 
Ka波段单片自偏压低噪声放大器被引量：2
《固体电子学研究与进展》2016年第4期289-292,共4页高兴振 杨爽 孙晓玮 
本文介绍了一款基于0.15μm PHEMT工艺的Ka波段自偏压单片低噪声放大器(LNA)。该款低噪声放大器采用四级级联的电路结构,前两级采用源极电感负反馈同时获得较好的输入驻波和噪声;采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便。该款低噪声放...
关键词：赝调制掺杂异质结场效应晶体管 KA波段 低噪声放大器 自偏压 单片微波集成电路 
调制掺杂ZnMgO/ZnO异质结构中的二维电子气
《材料导报》2014年第14期138-141,共4页周远明 钟才 梅菲 刘凌云 徐进霞 王远 张冉 
国家自然科学基金(11304092);湖北省教育厅科学研究计划项目(Q20131404);湖北省科技厅自然科学基金(2013CFB028)
基于调制掺杂的ZnMgO/ZnO异质结构模型,通过自洽求解一维泊松-薛定谔方程,研究了掺杂浓度、空间层厚度对ZnMgO/ZnO异质界面处二维电子气(2DEG)的分布、面密度等性质的影响。结果表明:ZnO沟道中的二维电子气主要来源于极化效应诱生的电...
关键词：ZnMgO/ZnO异质结 二维电子气 调制掺杂 
增强调制掺杂Si_(80)Ge_(20)基热电材料功率因子的研究被引量：2
《稀有金属材料与工程》2013年第12期2490-2493,共4页龚晓钟 吴振兴 刘正楷 王涵 彭雨辰 汤皎宁 
国家自然科学基金资助项目(51171117);广东省科技计划项目(2006B14001001);深圳市科技计划项目(CXB200903090012A)
采用成熟工艺制备了N型、P型调制掺杂型Si80Ge20基固溶体合金及等化学计量比的均匀掺杂型Si80Ge20基固溶体合金,重点研究了两类固溶体合金的热电性能。结果表明:温度为773 K时,N型系列、P型系列,调制掺杂型固溶体合金较均匀掺杂型的功...
关键词：热电材料 Si80Ge20固溶体合金 功率因子 热电性能 调制掺杂 
石墨烯PN结的调制掺杂生长与光电转换器件研究取得进展
《中国光学》2013年第1期120-121,共2页
石墨烯因独特的二维层状原子晶体结构和狄拉克锥形电子能带结构而具有新奇的电学、光学和光电子学性质。PN结则是双极型晶体管和场效应晶体管的核心结构,更是现代电子技术的基础。石墨烯中的PN结将具有电子负折射率效应和分数量子霍尔...
关键词：光电转换器件 PN结 调制掺杂 石墨 电子能带结构 分数量子霍尔效应 生长 场效应晶体管 
光泵调制掺杂阶梯量子阱THz激光器瞬态动力学的Monte Carlo模拟
《电子学报》2010年第3期710-713,共4页刘东峰 林奕新 马彩虹 
国家自然科学基金(No.500070201);广东省自然科学基金(No.5001835)
采用系综Monte Carlo(EMC)方法首次对光泵量子阱THz激光器的载流子瞬态动力学进行了分析.提出的器件原型为三能级调制掺杂GaAs/GaxAl(1-x)As系列非对称阶梯量子阱,激射频率为6.1THz.模拟中包括了电子-电子、电子-光学声子和电子-声学声...
关键词：THz激光 调制掺杂 非对称阶梯量子阱 MONTE CARLO方法 
离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管被引量：2
《材料科学与工程学报》2009年第1期142-145,共4页杨阳 孙甲明 张俊杰 张新霞 刘海旭 W. Skorupa M. Helm 
“973计划”资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的...
关键词：束缚激子 离子注入 硼 退火 调制掺杂 
SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用被引量：11
《微电子学》2008年第1期34-43,共10页谢孟贤 古妮娜 
从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其...
关键词：双极型晶体管 异质结双极型晶体管 SiGe-HBT SiGe-BiCMOS 调制掺杂场效应晶 
调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子被引量：3
《物理学报》2008年第2期1214-1219,共6页冀子武 鲁云 陈锦祥 三野弘文 秋本良一 嶽山正二郎 
日本文部省科学研究资助特别领域研究(2)(批准号:15034203);基础研究(C)(批准号:15540310)资助的课题.~~
报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSeⅡ型量子阱(type-ⅡQW)在低温(2—5K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果.观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光.PL直...
关键词：光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱 
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