杨阳

作品数：4被引量：8H指数：2
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发文主题：电致发光MOS器件MOS结构铒SIO2薄膜更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响被引量：4
《材料科学与工程学报》2009年第1期135-138,共4页张俊杰 孙甲明 杨阳 张新霞 刘海旭 W.Skorupa M.Helm 
“973计划”资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的...
关键词：铒 电致发光 光致发光 二氧化硅 纳米硅 
离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管被引量：2
《材料科学与工程学报》2009年第1期142-145,共4页杨阳 孙甲明 张俊杰 张新霞 刘海旭 W. Skorupa M. Helm 
“973计划”资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的...
关键词：束缚激子 离子注入 硼 退火 调制掺杂 
稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件被引量：5
《材料科学与工程学报》2009年第1期121-124,共4页孙甲明 张俊杰 杨阳 张新霞 刘海旭 W.Skorupa M.Helm 
“973计划”资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、44...
关键词：半导体光电子 电致发光 MOS器件 稀土离子 二氧化硅 
半绝缘Si/SiO_2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性被引量：2
《材料科学与工程学报》2009年第1期129-131,152,共4页张新霞 孙甲明 张俊杰 杨阳 刘海旭 
"973计划"基金资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文研究了SiO2和Si层的厚度分别为2-8nm和1.5-3nm的Si/SiO2超晶格在交流电场下的电致发光特性。以超晶格中SiO2层内加速的过热电子碰撞激发纳米Si层中密集的硅量子点,获得了Si/SiO2超晶格蓝绿色交流电致发光。Si/SiO2超晶格的电致发光...
关键词：超晶格 电致发光 Si量子点 电子平均自由程 
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