束缚激子

作品数：28被引量：14H指数：2
导出分析报告
相关领域：理学电子电信更多>>
相关作者：郑健生颜炳章张勇李国华汪兆平更多>>
相关机构：厦门大学中国科学院中国科学院长春物理所北京大学更多>>
相关期刊：《高等学校化学学报》《沧州师范学院学报》《郑州大学学报（理学版）》《功能材料》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金黑龙江省杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
等离子体轰击单层WS_(2)引入缺陷态对束缚激子光学性质的影响
《物理学报》2024年第13期9-19,共11页刘海洋 范晓跃 范豪杰 李阳阳 唐天鸿 王刚 
国家自然科学基金(批准号:12074033);北京理工大学科技创新计划培育专项(批准号:2022CX01007)资助的课题。
单层过渡金属硫化物具有原子级厚度、直接带隙、强自旋轨道耦合等优异性能,使其在自旋电子学、光电子学等领域具有重要的研究价值和广泛的应用前景.通常材料中包含多种结构缺陷,这可能是在样品制备和生长过程中形成的,也可以经过后期处...
关键词：二维半导体 WS_(2) 缺陷态 激子 
CH3NH3PbBr3纳米线中束缚激子g因子的各向异性
《物理学报》2020年第16期202-209,共8页宋飞龙 王玉暖 张峰 武诗谣 谢昕 杨静南 孙思白 党剑臣 肖姗 杨龙龙 钟海政 许秀来 
国家自然科学基金(批准号:11934019,61675228,11721404,51761145104,11874419);中国科学院先导项目(批准号:XDB28000000);中国科学院仪器研制项目(批准号:YJKYYQ20180036);中国科学院创新交叉团队项目;广东省重点研发计划(批准号:2018B030329001)资助的课题
有机-无机杂化钙钛矿材料与其他半导体材料相比具有高的缺陷容忍率,在太阳能电池、发光二极管、低阈值激光器等领域有重要的应用前景.通常情况下,钙钛矿材料是通过溶液法合成的,这种方法虽然可以得到性能优异的钙钛矿器件,但同时也会在...
关键词：钙钛矿纳米线 磁光光谱 g 因子各向异性 抗磁效应 
在黄昆先生指导下研究固体中的晶格振动、光色散及电声子耦合——纪念黄昆先生诞辰100周年
《物理与工程》2019年第5期8-16,共9页贾惟义 葛惟昆 
本文介绍两位笔者分别运用黄昆先生的理论,并在黄昆先生直接指导下,在研究固体中的晶格振动、光色散及电声子耦合方面的几项实验工作,包括准一维反铁磁晶体中的电声子耦合及同位素效应,GaP:N中的束缚激子之声子伴线的黄昆因子辨析,半导...
关键词：晶格振动 电声子耦合 黄昆因子 束缚激子 局域振动模式 黄-里斯激光器 
非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究
《功能材料》2013年第8期1077-1080,共4页谢涌 介万奇 王涛 崔岩 高俊宁 于晖 王亚彬 
国家自然科学基金资助项目(50872111,50902113,50902114);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB610406);高等学校学科创新引智计划资助项目(B08040)
采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500!eV。通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为...
关键词：ZNO 纳米线 光致发光 自由激子 束缚激子 X射线衍射 
退火对TiO_2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响
《高等学校化学学报》2011年第11期2581-2585,共5页杨峰 蔡芳共 柯川 赵勇 程翠华 
国家自然科学基金(批准号:50588201;50872116);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2009QK46;SWJTU09ZT24)资助
采用阳极氧化法制备了TiO2纳米管/线复合阵列.利用表面光电压谱(SPS)和场诱导表面光电压谱(FISPS)研究了退火对TiO2纳米管/线复合阵列表面光电性质的影响.结果表明,TiO2纳米管/线复合阵列在晶化前后的导带边缘均出现了束缚激子态,晶化...
关键词：表面光伏 场诱导表面光电压谱 TiO2纳米管/线复合阵列 束缚激子 
宽带隙半导体材料光电性能的测试
《半导体技术》2011年第11期817-820,共4页郭媛 陈鹏 孟庆芳 于治国 杨国锋 张荣 郑有炓 
国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(60990311;60721063;60906025;60936004;60731160628;60820106003);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金(2008001)
主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发...
关键词：光致发光 深能级 自由激子 束缚激子 多量子阱 蓝移 
类氢杂质对In_xGa_(1-x)N/GaN和GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中束缚激子态的影响被引量：1
《郑州大学学报（理学版）》2009年第4期53-57,共5页赵玉岭 戴宪起 
国家自然科学基金资助项目;编号60476047;河南省高校科技创新人才支持计划;编号2008HASTLT030
在考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,运用变分方法研究了类氢施主杂质的位置对Ⅲ族氮化物量子点中束缚激子态的影响.结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心,InxGa1-xN/GaN量子点的高度和In含量大于临界值时,约束在Q...
关键词：类氢施主杂质 量子点 束缚激子 激子基态能 发光波长 
离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管被引量：2
《材料科学与工程学报》2009年第1期142-145,共4页杨阳 孙甲明 张俊杰 张新霞 刘海旭 W. Skorupa M. Helm 
“973计划”资助项目(2007CB613403);国家自然科学基金资助项目(60776036);教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459)
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的...
关键词：束缚激子 离子注入 硼 退火 调制掺杂 
III族氮化物量子点中类氢施主杂质位置对束缚激子结合能的影响被引量：1
《贵州师范大学学报（自然科学版）》2007年第1期48-51,67,共5页郑冬梅 戴宪起 
国家自然科学基金(批准号:60476047)项目
在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场效应和量子点(QD)的三维约束效应的情况下,研究了类氢施主杂质在量子点中的位置对III族氮化物量子点中束缚激子结合能的影响。结果表明:当类氢施主杂质位于量子点中心时,对于InxGa1-xN/GaN...
关键词：类氢施主杂质 量子点 束缚激子 激子结合能 
类氢杂质对束缚激子基态能和结合能的影响
《南阳师范学院学报》2005年第9期21-25,35,共6页赵玉岭 
利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场效应和量子点的三维约束效应,研究了含有类氢离子杂质的InxGa1-xN/GaN应变类量子点中激子基态能、结合能随量子点结构参数和量子点中In含量x的变化规律.计算结果显示,类氢离子杂质束对束缚激子...
关键词：类氢杂质 InxGa1-xN/GaN量子点 激子基态能 激子结合能 
全选清除导出
共3页<123>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部