SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用  

Important Function of SiGe Semiconductor in Technology Development of Microelectronics

作　　者：谢孟贤[1] 古妮娜 

机构地区：[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054 [2]台积电(上海)有限公司,上海201616

出　　处：《微电子学》2008年第1期34-43,共10页Microelectronics

摘　　要：从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况。Compared with Si-BJT and Si-FET （IC＇s）, SiGe-HBT and SiGe-FET （IC＇s） have excellent characteristics in frequency and speed improvement. Important function of SiGe semiconductor in technology development of Si-based microelectronis is reviewed. The important role of strain engineering （i. e. carrier mobility enhancement by using strain） is emphasized specifically. Moreover, the current development of SiGe devices and ICs is discussed.

关 键 词：双极型晶体管 异质结双极型晶体管 SiGe-HBT SiGe-BiCMOS 调制掺杂场效应晶 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学]