压电极化

作品数：17被引量：52H指数：3
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压电光子学效应及其应用被引量：1
《中国科学：技术科学》2023年第6期881-891,共11页王龙飞 
近年来,压电光子学作为一个新兴的研究领域吸引了学者们的广泛关注.压电光子学效应是压电半导体的压电极化和光激发的耦合,是利用应变诱导的压电极化调控材料能带结构进而控制电子-空穴的复合发光过程.压电光子学效应为新光源、智能触...
关键词：压电光子学 压电极化 第三代半导体 第四代半导体 力致发光 
AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展被引量：3
《航天器环境工程》2022年第4期436-445,共10页季启政 刘峻 杨铭 胡小锋 万发雨 刘尚合 
国家自然科学基金青年科学基金项目(编号:61904007)。
氮化镓(GaN)基异质结材料以其宽禁带、耐高温、高击穿电压以及优异的抗辐射性能成为航天领域半导体材料的研究和应用热点。而基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因其制备过程带来的缺陷和损伤,性能将受到空间辐射的严峻挑...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 质子辐照 位移损伤 压电极化 
复合成核层对InGaN基黄光LED内量子效率的影响
《发光学报》2021年第12期1914-1920,共7页宫丽艳 唐斌 胡红坡 赵晓宇 周圣军 
国家自然科学基金(52075394,51775387,51675386);国家“万人计划”青年拔尖人才支持计划资助项目。
开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率。系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的InGaN基黄光LED的晶体质量和光学性能,揭示了复合成核层对黄光LED内量子效率的影响机制。分别采用透射...
关键词：黄光发光二极管 成核层 内量子效率 堆垛层错 压电极化 
GaN HEMT逆压电效应及退化机理研究
《环境技术》2019年第6期50-55,共6页席善斌 裴选 迟雷 尹丽晶 高东阳 彭浩 黄杰 
GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,...
关键词：GaN HEMT 二维电子气 压电极化 逆压电效应 临界电压 
p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响被引量：2
《物理学报》2012年第21期405-410,共6页王晓勇 种明 赵德刚 苏艳梅 
国家自然科学基金(批准号:60776047);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z401)资助的课题~~
通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程,得到了p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处的价带结构和二维空穴气(2DHG)分布,研究了A1组分和压电极化效应对界面处2DHG性质的影响,给出了异质界面处2DHG的面密度、浓度分布以及价带结构.实验结...
关键词：p-AlGaN 压电极化 二维空穴气 欧姆接触 
影响AlGaN/GaN HFET器件二维电子气的若干因素被引量：1
《微纳电子技术》2011年第4期225-229,共5页张明华 林兆军 李惠军 申艳芬 魏晓珂 刘岩 
国家自然科学基金资助项目(10774090)
基于Sentaurus Workbench(SWB)TCAD可制造性设计平台进行AlGaN/GaN器件的结构设计和仿真,并对影响二维电子气的重要参数因素进行了研究及优化,诸如AlGaN势垒层中Al组分x、AlGaN势垒层厚度h、应变弛豫度r和栅偏压Vg等因素。参数相关性的...
关键词：ALGAN/GAN 异质结场效应晶体管(HFET) 二维电子气(2DEG) 自发极化 压电极化 
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)被引量：1
《半导体技术》2009年第1期1-5,共5页李效白 
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组...
关键词：铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 二维电子气 自发极化 压电极化 电流崩塌 陷阱效应 
逆压电极化效应对AlGaN/GaN异质结2DEG特性的影响
《半导体技术》2008年第1期56-58,72,共4页李若凡 武一宾 马永强 张志国 杨瑞霞 
国家973项目(51327030402)
从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影响2DEG性质，当Al组分x=0．3，AlGaN层厚度为20nm时...
关键词：氮化镓 Poisson-Schrfidinger方程 逆压电极化效应 2DEG浓度 
GaN/AlN量子点结构中的应变分布和压电效应
《Journal of Semiconductors》2007年第1期42-46,共5页梁双 吕燕伍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376014)~~
从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电...
关键词：GaN/AIN量子点结构 应变 自发极化 压电极化 
Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展被引量：9
《物理学进展》2006年第2期127-145,共19页孔月婵 郑有炓 
国家自然科学基金(批准号:601360206027603160290080);国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683);国家高技术研究与发展计划基金(批准号:2002AA305304)
本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二...
关键词：Ⅲ族氮化物异质结构 二维电子气 综述 自发极化 压电极化 迁移率 
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