异质结场效应管

作品数：10被引量：7H指数：2
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高工作电压GaAs HFET
《固体电子学研究与进展》2019年第2期106-110,共5页陈正廉 林罡 
通过对结构和性能的分析与优化,设计并研制了不同场板和宽槽条件下的高工作电压GaAs HFET器件。直流和射频测试结果表明:提升场板长度和宽槽宽度可以有效提高器件的工作电压。器件在南京电子器件研究所流片,最终制备出的器件性能为:击...
关键词：GaAs异质结场效应管 场板 宽槽 工作电压 
复合沟道氟离子增强型AlGaN/GaN HEMT的研究被引量：2
《固体电子学研究与进展》2014年第5期409-414,共6页蔡金勇 周琦 罗小蓉 陈万军 范远航 熊佳云 魏杰 杨超 张波 
国家自然科学基金资助项目(61234006;61306102);国家科技重大专项资助项目(2013ZX02308-005)
提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引入高、低浓度F-复合沟道,其中高浓度F-注入区位于沟道靠近源漏两端以调制阈值电压,获得增强型器件;低浓度F...
关键词：氮化镓 异质结场效应管晶体管 增强型 复合沟道 
ZnO/ZnMgO异质结场效应管的制备与性能研究
《发光学报》2012年第4期449-452,共4页朱振邦 顾书林 朱顺明 叶建东 黄时敏 顾然 郑有炓 
国家自然科学基金(61025020;60990312);国家"973"计划项目(2011CB302003);江苏省自然科学基金(SBK201121728)资助项目
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在ZnO/ZnMgO异质结构上制备SiO2作为栅绝缘层,采用光刻与腐蚀工艺制备ZnO/ZnMgO异质结场效应管。电学性能测试及计算结果表明器件栅压调控作用明显。发现栅端漏电流对器件性能造成一定影响。...
关键词：ZnO/ZnMgO 异质结场效应管 迁移率 
GaN HFET沟道中的电子状态转移和非线性研究
《固体电子学研究与进展》2009年第2期170-174,共5页薛舫时 
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了大栅压摆动下的沟道电子状态,发现高栅压下电子波函数向势垒层的渗透和激发子带向势垒层的转移是导致跨导下降、线性变差的主要原因。分别研究了势垒层和沟道结构对波函数渗透和电子态转移的...
关键词：氮化镓 异质结场效应管 非线性 沟道电子态转移 电子波函数渗透 沟道电子布居率 能带剪裁 
AlGaN/GaN HFET的2DEG和电流崩塌研究(Ⅰ)被引量：1
《半导体技术》2009年第1期1-5,共5页李效白 
从不同的视角回顾和研究了AlGaN/GaN HFET的二维电子气(2DEG)和电流崩塌问题。阐述了非掺杂的AlGaN/GaN异质结界面存在2DEG的原动力是极化效应,电子来源是AlGaN上的施主表面态。2DEG浓度与AlGaN/GaN界面导带不连续性、AlGaN层厚和Al组...
关键词：铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 二维电子气 自发极化 压电极化 电流崩塌 陷阱效应 
通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟
《半导体技术》2008年第S1期112-115,共4页文于华 范冰丰 骆思伟 王钢 刘扬 
中山大学物理学基金项目(J0630320;J0730313)
使用有限元软件ANSYS,对通孔结构Si衬底Al GaN/GaN HFET进行了热特性模拟。首先,根据器件结构建立了以栅极为热源的分析模型。然后,通过改变衬底材料、衬底厚度、栅间距以及通孔深度,分别研究了两栅指结构HFET的峰值温度和热阻。最后,...
关键词：铝镓氮/氮化镓 异质结场效应管 ANSYS 通孔结构 
Ⅲ族氮化物及其二维电子气输运特性的研究进展被引量：1
《固体电子学研究与进展》2004年第3期265-274,280,共11页薛舫时 
Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙 ,导带能谷间距大 ,强场输运特性好。Al Ga N/Ga N异质结产生高密度的二维电子气 ,屏蔽了杂质和缺陷的散射 ,改善了低场输运性能。它弥补了宽禁带半导体输运性能差的缺点 ,已研制成大功率的 HFET...
关键词：Ⅲ族氮化物 二维电子气 输运性能 异质结场效应管 
毫米波器件与电路技术被引量：3
《微纳电子技术》2002年第9期9-13,共5页孙再吉 
阐述了近来毫米波器件及电路的技术动向。异质结FET和HBT在InP系突现出优越的性能,在GaAs系已完全进入系统应用阶段。在此应用观点的影响下,相继开发成功了宽带无线通信系统和车载雷达用的CPWMMIC芯片以及倒装片封装模块。
关键词：毫米波器件 电路技术 异质结场效应管 异质结双极晶体管 
In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
《固体电子学研究与进展》2001年第3期276-280,共5页徐红钢 陈效建 高建峰 郝西萍 
国家自然科学基金项目 :批准号 :694 70 3 8
提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss...
关键词：铟镓磷/砷化镓 二维空穴气 p沟异质结场效应晶体管 
平面掺杂异质结场效应管的二维电子气浓度和材料结构尺寸之间的关系
《Journal of Semiconductors》1999年第5期389-394,共6页李效白 
专用集成电路国家重点实验室资助
本文对场效应管所用材料的隔离层，δ调制掺杂层，势垒耗尽层等材料结构尺寸，异质结界面的二维电子气浓度，场效应管的夹断电压，沟道电流等以及它们之间的关系进行了计算分析，可作为材料和器件结构设计的依据．
关键词：异质结 场效应管 掺杂 二维电子气浓度 材料结构 
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