徐红钢

作品数：3被引量：1H指数：0
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：砷化镓PINGAP/GAAS半导体材料异质结界面更多>>
发文领域：电子电信更多>>
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In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
《固体电子学研究与进展》2001年第3期276-280,共5页徐红钢 陈效建 高建峰 郝西萍 
国家自然科学基金项目 :批准号 :694 70 3 8
提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss...
关键词：铟镓磷/砷化镓 二维空穴气 p沟异质结场效应晶体管 
InGaP/GaAs异质结价带不连续性的直接测量被引量：1
《固体电子学研究与进展》1999年第3期241-245,共5页徐红钢 陈效建 高建峰 
国家自然科学基金
用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ Ｓ９００Ａ 型半导体自动参数测试仪测量了用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结样品的界面ＣＶ的分布。用多项式逐段拟合的方法，转化得到界面浓度的分布，最后计算得到该体系的价带不连续性ΔＥｖ...
关键词：铟镓磷 砷化镓 异质结界面 直接测量 半导体材料 
N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料
《固体电子学研究与进展》1997年第2期154-157,共4页王向武 马利行 徐红钢 陆春一 
研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。
关键词：硅外延 异型 高阻 厚层 自掺杂 
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