N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料  

N^-/P^+ Heterotype High-resistivity Thick-layer Si Epitaxial Wafer

作　　者：王向武[1] 马利行[1] 徐红钢[1] 陆春一[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1997年第2期154-157,共4页Research & Progress of SSE

摘　　要：研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。The N-/P+ Heterotype high-resistivity thick-layer epitaxial wafer has been prepared. The problems in high-resistivity thick-layer epitaxy were discussed. The methods of improving epitaxial material were given.

关 键 词：硅外延 异型 高阻 厚层 自掺杂 

分 类 号：TN304.12[电子电信—物理电子学] TN304.054