马利行

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供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文主题：硅外延片英寸P掺砷衬底硅外延更多>>
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N^-/P^+异型高阻厚层硅外延材料
《固体电子学研究与进展》1997年第2期154-157,共4页王向武 马利行 徐红钢 陆春一 
研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。
关键词：硅外延 异型 高阻 厚层 自掺杂 
减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法
《固体电子学研究与进展》1995年第3期299-301,共3页王向武 陆春一 马利行 
叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果，和单纯减压方法所得的结果相当，外延层晶格质量明显优于单纯减压外延的结果。
关键词：自掺杂 减压 二步外延 硅 外延生长 
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